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從矽到碳化矽，更高能效是功率器件始終的追求
suizhexinnengyuanqichehediandongfeijigainiandexingqi，zaikeyujiandeweilaili，diannengdoujianghuishirenleishehuifazhandezhuyaonengyuan。raner，suizhedianqihuazaigexinggeyedeshentoulvbuduantisheng，meinianquanshehuiduidiannengdexiaohaoliangdoushiyigetianwenshuzi。biruzaizhongguo，genjuguojianengyuanjufabudeshuju，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發展的新能源汽車在整車製造方麵，用電量大幅增長71.1%。
2023-10-09
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半導體功率器件的無鉛回流焊
半導體器件與 PCB 的焊接曆來使用錫/鉛焊料，但根據環境法規的要求，越來越多地使用無鉛焊料來消除鉛。大多數適合這些應用的無鉛焊料是具有較高熔點的錫/銀合金，相應地具有較高的焊料回流溫度。
2023-10-09
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多元融合高彈性電網初落地，電源和功率器件迎行業風口
每到盛夏，我國江浙沿海一帶就會出現電力緊張問題。因此，“高溫下保供電”便bian成cheng為wei各ge地di的de主zhu要yao方fang針zhen。同tong時shi，隨sui著zhe新xin能neng源yuan汽qi車che滲shen透tou率lv提ti升sheng，電dian能neng供gong應ying的de挑tiao戰zhan會hui越yue來lai越yue大da。為wei了le能neng夠gou更geng好hao地di解jie決jue供gong電dian難nan題ti，多duo元yuan融rong合he高gao彈dan性xing電dian網wang成cheng為wei電dian力li能neng源yuan領ling域yu的de熱re門men概gai念nian，並bing已yi經jing得de到dao了le初chu步bu的de落luo實shi。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET
碳化矽（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動係統的性能提出了更高的要求。英飛淩最新一代增強型EiceDRIVER™ 1ED34X1係列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。
2023-09-18
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如何在有限空間裏實現高性能？結合最低特定RDS(On)與表麵貼裝技術是個好方法！
SiC FET在共源共柵結構中結合矽基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟矽基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表麵貼裝TOLL封feng裝zhuang，由you此ci增zeng加jia了le自zi動dong裝zhuang配pei的de便bian利li性xing，同tong時shi減jian少shao了le元yuan件jian尺chi寸cun，並bing達da成cheng出chu色se的de熱re特te性xing，在zai功gong率lv轉zhuan換huan應ying用yong中zhong實shi現xian了le功gong率lv密mi度du最zui大da化hua和he係xi統tong成cheng本ben最zui小xiao化hua。
2023-09-18
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SiC功率半導體市場，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來衝刺更高的性能，已經是大勢所趨。
2023-09-15
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如何選擇和開始使用功率器件驅動器
所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物矽場效應晶體管 (MOSFET)、碳化矽 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是係統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而後者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
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適用於高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個優先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發計劃來提高性能和安全性，並且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已經為新型電力電子產品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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IGBT單管數據手冊參數解析——下
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基於英飛淩單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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派恩傑半導體將於11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會
11月1日-3日，中國第三代半導體功率器件的領先品牌--派恩傑半導體將於廣州保利世貿博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會。
2023-07-31
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安森美與博格華納擴大碳化矽戰略合作， 協議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化矽（SiC）方麵的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態特性測試
氮(dan)化(hua)镓(jia)器(qi)件(jian)是(shi)第(di)三(san)代(dai)半(ban)導(dao)體(ti)中(zhong)的(de)典(dian)型(xing)代(dai)表(biao)，具(ju)有(you)極(ji)快(kuai)的(de)開(kai)關(guan)速(su)度(du)，能(neng)夠(gou)顯(xian)著(zhu)提(ti)升(sheng)功(gong)率(lv)變(bian)換(huan)器(qi)的(de)性(xing)能(neng)，受(shou)到(dao)電(dian)源(yuan)工(gong)程(cheng)師(shi)的(de)青(qing)睞(lai)。同(tong)時(shi)，極(ji)快(kuai)的(de)開(kai)關(guan)速(su)度(du)又(you)對(dui)其(qi)動(dong)態(tai)特(te)性(xing)的(de)測(ce)試(shi)提(ti)出(chu)了(le)更(geng)高(gao)的(de)要(yao)求(qiu)，稍(shao)有(you)不(bu)慎(shen)就(jiu)會(hui)得(de)到(dao)錯(cuo)誤(wu)結(jie)果(guo)。
2023-07-18
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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