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導通損耗降低20%的新一代1200V IGBT

Microsemi擴展其NPT IGBT產品係列，發布三款1200V IGBT新產品。相比競爭產品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關性能，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設計用於大功率的高性能開關模式產品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。

2012-09-13
發力電機驅動應用，飛兆半導體推最新IGBT

此次，飛兆半導體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機驅動效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿足嚴格的能效指標。

2012-09-10
簡單實現晶閘管直流穩壓器的過流保護

盡管功率場效應VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導體元器件層出不窮，且在電力電子技術領域占據重要位置，晶閘管（可控矽）卻因耐高壓耐大電流衝擊的特性，仍有著穩固的陣地，受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放(fang)大(da)和(he)執(zhi)行(xing)等(deng)多(duo)個(ge)環(huan)節(jie)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)，將(jiang)單(dan)結(jie)晶(jing)體(ti)管(guan)移(yi)相(xiang)觸(chu)發(fa)器(qi)中(zhong)的(de)晶(jing)體(ti)管(guan)誤(wu)差(cha)放(fang)大(da)器(qi)改(gai)為(wei)集(ji)成(cheng)運(yun)算(suan)放(fang)大(da)器(qi)，就(jiu)可(ke)實(shi)現(xian)晶(jing)閘(zha)管(guan)直(zhi)流(liu)穩(wen)壓(ya)器(qi)的(de)過(guo)流(liu)及(ji)短(duan)路(lu)保(bao)護(hu)，簡(jian)化(hua)了(le)電(dian)路(lu)結(jie)構(gou)，並(bing)提(ti)高(gao)了(le)整(zheng)機(ji)的(de)穩(wen)定(ding)可(ke)靠(kao)性(xing)能(neng)和(he)AC - DC變換效率。

2012-08-29
英飛淩推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件開關損耗大幅降低

英飛淩推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 係列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFETdafudujiangdilekaiguansunhao，zaibuxishengxitongzongtixiaolvdeqingkuangxia，keyizhichigenggaodekaiguanpinlv。shejirenyuankezaibuzengjiataiyangnengnibianqitijideqingkuangxia，shixiangenggaodeshuchugonglv。

2012-06-21
羅姆實現SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝可替代Si-IGBT

羅姆麵向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關頻率

2012-06-18
Fairchild推出低功耗點火IGBT器件，可將VSAT降低多達20%

為(wei)了(le)滿(man)足(zu)現(xian)今(jin)和(he)新(xin)興(xing)點(dian)火(huo)係(xi)統(tong)對(dui)排(pai)放(fang)和(he)高(gao)燃(ran)油(you)效(xiao)率(lv)的(de)嚴(yan)苛(ke)要(yao)求(qiu)，汽(qi)車(che)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)需(xu)要(yao)更(geng)高(gao)性(xing)能(neng)的(de)點(dian)火(huo)線(xian)圈(quan)驅(qu)動(dong)器(qi)技(ji)術(shu)。為(wei)幫(bang)助(zhu)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)滿(man)足(zu)這(zhe)些(xie)要(yao)求(qiu)，飛(fei)兆(zhao)半(ban)導(dao)體(ti)公(gong)司(si)推(tui)出(chu)了(le)在(zai)較(jiao)小(xiao)的(de)占(zhan)位(wei)麵(mian)積(ji)下(xia)具(ju)有(you)更(geng)低(di)功(gong)耗(hao)的(de)最(zui)新(xin)一(yi)代(dai)點(dian)火(huo)IGBT器件。EcoSPARK2、FGD3040G2和FDG3440G2點火線圈驅動器可將VSAT降低多達20%，而不會顯著降低自箝位感性負載開關的能量。這項優化特性減低了功耗和工作結溫，並降低了對散熱器的要求。

2012-06-04
IR 600V車用COOLiR IGBT開關速度比肩MOSFET

國際整流器公司 (IR)推出600V車用IGBT平台COOLiRIGBT，能夠以MOSFET一樣快的開關速度運行，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。

2012-05-30
英飛淩推出光伏發電逆變器耐壓1200V SiC型FET

德國英飛淩科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用於光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，新產品的主要用途為光伏發電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現裝置的小型輕量化。這是因為新產品可實現高於IGBTdegongzuosudu。yejiushishuo，jibiantigaogongzuopinlv，yenengjiangdikaiguansunshi。yinci，dianganqijidianrongqidengbeidongyuanjiankeshiyongxiaoxingchanpin，suoyinenggoushixianzhenggezhuangzhidexiaoxingqinglianghua。

2012-05-24
IR針對EV|HEV推出600V超高速開關、耐用高頻IGBT

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創新的600V車用IGBT平台COOLiRIGBT，它能夠以和MOSFET一樣快的開關速度運行，同時在高電平下還提供更高的效率。COOLiRIGBT適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關應用，包括車載直流-直流轉換器、電機驅動器、電池充電器等。

2012-05-23
BM6103FV-C:羅姆推出業內最小車載用內置絕緣元件的柵極驅動器

日本知名半導體製造商羅姆株式會社（總部位於日本京都市）開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。

2012-05-22
業界最小！羅姆開發出車載用內置絕緣元件的柵極驅動器

羅姆株式會社開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。本產品融合了羅姆獨創的BiCDMOS技術與新開發的片上變壓器工藝技術，作為內置了絕緣元件的柵極驅動器，是業界最小(截至2012年5月22日,根據羅姆的調查)的de小xiao型xing封feng裝zhuang，有you助zhu於yu逆ni變bian器qi電dian路lu的de小xiao型xing化hua。另ling外wai，與yu傳chuan統tong的de光guang耦ou方fang式shi相xiang比bi，可ke大da幅fu降jiang低di耗hao電dian量liang，而er且qie由you於yu具ju備bei了le所suo有you必bi要yao的de保bao護hu功gong能neng和he品pin質zhi要yao求qiu，可ke減jian少shao設she計ji時shi的de工gong作zuo量liang。

2012-05-22
Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%

美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT係列中的首款產品。新的IGBT係列采用尖端Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。

2012-05-21

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