產品特點：

• 柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關性能
• 與競爭方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多

• 電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源

美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT係列中的首款產品。新的IGBT係列采用美高森美的尖端Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。

Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關和導通損耗降低20%

美高森美新的分立元件產品包括APT40GR120B
、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨提供，或者與任一美高森美的FRED或碳化矽肖特基(Schottky) 二極管組合封裝提供
，以便簡化產品開發和製造。其它特性包括：

• 相比競爭產品
，柵極電荷(Qg)顯著減少
，具有更快的開關性能
；
• 硬開關運行頻率大於80 KHz，實現更高效的功率轉換；
• 易於並聯(Vcesat的正溫度係數)，提升大功率應用的可靠性；以及
• 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的應用中實現可靠運作

APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝，APT40GR120S采用表麵安裝D3 PAK封裝
，APT40GR120B2D30則是T-MAX® 封裝器件，包含了一個30A反並聯超快恢複二極管
，采用美高森美的專有“DQ”係列低開關損耗、額定雪崩能量二極管技術製造。

供貨

美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產品已具有以上全部待征並已量產
，可通過當地分銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。