產品特點：

• 新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關損耗
• 開關性能可媲美外置SiC肖特基勢壘二極管

應用領域：

• 太陽能逆變器

在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛淩科技股份公司推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 係列，該產品係列增強了英飛淩在SiC（碳化矽）產品市場的領先地位。這個革命性的新產品係列，立足於英飛淩在SiC技術開發以及高質量
、大批量生產方麵十多年的豐富經驗。

英飛淩科技股份公司高壓功率轉換產品部負責人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飛淩已針對需要高效電源管理的市場推出了多項突破性技術。CoolSiC 也是一種革命性的創新技術
，可將太陽能逆變器的性能提升至新的水平。憑借新型SiC JFET技術
，我們可以幫助客戶開發出更好的氣候保護解決方案。”

與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大da幅fu度du降jiang低di了le開kai關guan損sun耗hao
，在zai不bu犧xi牲sheng係xi統tong總zong體ti效xiao率lv的de情qing況kuang下xia，可ke以yi支zhi持chi更geng高gao的de開kai關guan頻pin率lv。這zhe為wei使shi用yong更geng小xiao的de無wu源yuan元yuan件jian創chuang造zao了le條tiao件jian，其qi結jie果guo是shi縮suo小xiao客ke戶hu設she計ji的de產chan品pin的de尺chi寸cun，降jiang低di其qi重zhong量liang
，並bing壓ya縮suo係xi統tong成cheng本ben。換huan言yan之zhi
，設she計ji人ren員yuan可ke在zai不bu增zeng加jia太tai陽yang能neng逆ni變bian器qi體ti積ji的de情qing況kuang下xia，實shi現xian更geng高gao的de輸shu出chu功gong率lv。

為了確保常通型JFET技術的安全性和易用性
，英飛淩開發出一種被稱為直驅技術的概念。在這一概念中，JFET與外部低壓MOSFET和專用的驅動芯片組合在一起，確保了安全的係統啟動，以及快速可控的開關。 

CoolSiCTM JFET集成了一個體二極管，其開關性能可媲美外置SiC肖特基勢壘二極管。這種組合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。

供貨和定價
CoolSiCTM JFET產品和驅動芯片的首批樣品於2012年第二季度供貨。OEM量產預計將於2013年上半年開始。IJW120R100T1 （100mOhm）的定價為每件24.90美元（€ 18.44）（起訂量為1,000件）。