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IGBT驅動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現的一種複合全控型電壓驅動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優點集於一身：輸入阻抗高，開關頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關電源，弧焊電源等領域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由於采用- 10V關斷電壓，能更可靠關斷，同時具有封閉性軟關斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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估算電感在開關電源中的功耗
開關電源的功耗是多方麵的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控製器靜態功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方麵：其一是與磁芯相關的損耗，即傳統的鐵損；其二是與電感繞組相關的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計算電感在開關電源中的功耗。
2008-10-09
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開關電源差模電流輻射幹擾的模擬與分析
本文主要探討開關電源的de電dian磁ci幹gan擾rao問wen題ti，首shou先xian建jian立li差cha模mo電dian流liu的de輻fu射she模mo型xing，接jie著zhe通tong過guo電dian磁ci場chang的de數shu值zhi模mo擬ni軟ruan件jian對dui其qi輻fu射she特te性xing進jin行xing分fen析xi，然ran後hou對dui結jie果guo分fen析xi得de出chu在zai進jin行xing印yin製zhi線xian路lu板ban和he機ji箱xiang內nei部bu結jie構gou的de電dian磁ci兼jian容rong設she計ji時shi應ying該gai考kao慮lv的de因yin素su。
2008-10-08
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電磁兼容技術綜述及開關電源中的EMC技術應用
本文著重研究了電磁兼容技術，分析了電磁幹擾的產生機理與傳輸，提出了電磁幹擾的控製技術，並將這一技術應用到開關電源上，實現了開關電源的電磁兼容設計。
2008-10-07
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基於恒流驅動模式的寬電壓輸入串聯型開關電源
提出了一種基於恒流驅動模式的能在10V～100V寬電壓範圍內工作的串聯型開關穩壓電源，這種開關電源采用MOSFET和特殊的恒流開關驅動方式，使開關管在寬電壓範圍內始終得到理想的驅動電壓，因此效率高、工作穩定、成本低。
2008-10-07
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開關電源技術發展的十個關注點
本文描述了開關電源技術發展和變化的三個階段以及其發展的關於功率半導體器件性能、開關電源功率密度、高頻磁與同步整流技術等十個關注點。
2008-10-06
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一種輸出電壓4～16V開關穩壓電源的設計
本文介紹的開關電源已成功地作為實驗室電源、通信基站電源使用。其效率≥85％，紋波優於30mVPP，產品可靠性高、成本低，具有一定的市場競爭力。
2008-10-06
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電子線路與電磁幹擾/電磁兼容設計分析
本文首先簡要介紹了目前電子行業中有關電磁感應,EMI,EMC的情況，接著介紹了電磁感應和電磁幹擾相關理論背景知識，接著以開關電源為例對其進行電磁兼容設計以此提出了一般電子產品的電磁幹擾的解決方法。
2008-10-05
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降低開關電源電磁幹擾水平的研究
本文以一個能產生混沌、超混沌、亞超混沌與超混沌信號的電路為信號源,以Boost型DC/DC變換器為對象,研究混沌的性質對降低開關電源電磁幹擾水平效果的影響。仿真結果表明:不同性質的混沌序列,有不同的降低Boost型變換器的電磁幹擾水平的效果。
2008-10-05
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開關電源電磁幹擾濾波器
隨著開關電源的發展，其中的電磁幹擾問題倍受重視，開關電源電磁幹擾濾波器也就隨之產生。本文介紹了開關電源電磁幹擾(EMI)的特點，電磁幹擾濾波器設計原則和電磁幹擾濾波器的電路結構與參數選擇，以及電磁幹擾濾波器的安裝。
2008-10-04
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用於有源電力濾波器的IGBT驅動及保護研究
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種複合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控製、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用於有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，並提出一種具有完善保護功能的驅動電路。
2008-10-02
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南方芯源推出全新A係列MOSFET
南方芯源(Samwin)開始向市場推廣全新A係列MOSFET。Samwin A係列采用先進的6寸片0.6um生產線，產品的品質因子處於國內領先地位，與Fairchild uniFET產品一致。在民用級開關電源產品上完全可替代國外品牌。
2008-10-01
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