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談談SiC MOSFET的短路能力
在zai電dian力li電dian子zi的de很hen多duo應ying用yong，如ru電dian機ji驅qu動dong，有you時shi會hui出chu現xian短duan路lu的de工gong況kuang。這zhe就jiu要yao求qiu功gong率lv器qi件jian有you一yi定ding的de扛kang短duan路lu能neng力li，即ji在zai一yi定ding的de時shi間jian內nei承cheng受shou住zhu短duan路lu電dian流liu而er不bu損sun壞huai。目mu前qian市shi麵mian上shang大da部bu分fenIGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛淩IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 淩 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。
2024-02-01
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門極驅動正壓對功率半導體性能的影響
無論是MOSFET還是IGBT，都dou是shi受shou門men極ji控kong製zhi的de器qi件jian。在zai相xiang同tong電dian流liu的de條tiao件jian下xia，一yi般ban門men極ji電dian壓ya用yong得de越yue高gao，導dao通tong損sun耗hao越yue小xiao。因yin為wei門men極ji電dian壓ya越yue高gao意yi味wei著zhe溝gou道dao反fan型xing層ceng強qiang度du越yue強qiang，由you門men極ji電dian壓ya而er產chan生sheng的de溝gou道dao阻zu抗kang越yue小xiao，流liu過guo相xiang同tong電dian流liu的de壓ya降jiang就jiu越yue低di。不bu過guo器qi件jian導dao通tong損sun耗hao除chu了le受shou這zhe個ge門men極ji溝gou道dao影ying響xiang外wai，還hai和he芯xin片pian的de厚hou度du有you很hen大da的de關guan係xi，一yi般ban越yue薄bo的de導dao通tong損sun耗hao越yue小xiao，所suo以yi同tong等deng芯xin片pian麵mian積ji下xia寬kuan禁jin帶dai的de器qi件jian導dao通tong損sun耗hao要yao小xiao得de多duo。而er相xiang同tong材cai料liao下xia耐nai壓ya越yue高gao的de器qi件jian就jiu會hui越yue厚hou，導dao通tong損sun耗hao就jiu會hui變bian大da。這zhe種zhong由you芯xin片pian厚hou度du引yin起qi的de導dao通tong損sun耗hao不bu受shou門men極ji電dian壓ya影ying響xiang，所suo以yi器qi件jian耐nai壓ya越yue高gao，門men極ji電dian壓ya即ji使shi進jin一yi步bu增zeng大da對dui導dao通tong損sun耗hao貢gong獻xian是shi有you限xian的de。
2024-01-29
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I-NPC三電平電路的雙脈衝及短路測試方法
雙脈衝測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在zai兩liang電dian平ping橋qiao式shi電dian路lu中zhong應ying用yong為wei例li，如ru下xia圖tu，通tong過guo調tiao節jie直zhi流liu母mu線xian電dian壓ya和he第di一yi個ge脈mai衝chong持chi續xu時shi間jian，可ke以yi在zai第di一yi個ge脈mai衝chong結jie束shu和he第di二er個ge脈mai衝chong開kai始shi時shi捕bu捉zhuo到dao被bei測ce器qi件jian在zai任ren何he所suo需xu的de電dian壓ya和he電dian流liu條tiao件jian下xia的de開kai關guan瞬shun態tai行xing為wei。DPT結果量化了功率器件的開關性能，並為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那麼對於三電平電路，雙脈衝測試需要怎麼做呢？
2024-01-24
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高隔離DC/DC轉換器提升電機運作的穩定性與安全性
在電機應用中，必須采用逆變器或轉換器進行電源轉換，采用高隔離DC/DC轉換器，將有助於提升電機運作的穩定性與安全性，這對高功率、高速電機係統尤為重要。本文將為您介紹IGBT/MOSFET/SiC/GaN柵極驅動DC-DC轉換器的相關技術，以及由Murata（村田製作所）所推出的一係列高隔離DC/DC轉換器的功能特性。
2024-01-19
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超結MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應用
儲能變流器，又稱雙向儲能逆變器，英文名PCS(Power Conversion System)，是儲能係統與電網中間實現電能雙向流動的核心部件，用作控製電池的充電和放電過程，進行交直流的變換。
2024-01-09
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超高壓MOS在變頻器上的應用
典型的AC380V變頻器應用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經過DC高壓降壓後為IGBT驅動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
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SiC MOSFET用於電機驅動的優勢
低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對於50kHz以上的調製頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V係統，矽MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。
2023-12-20
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泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化
對於功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對於那些使用碳化矽 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的複雜性。測量矽 (Si)、碳化矽 (SiC) 和氮化镓金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關參數，並評估其動態行為的標準方法是雙脈衝測試 (DPT)。
2023-12-05
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如何優化SiC柵級驅動電路？
對於高壓開關電源應用，碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控製的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等於或高於低壓矽 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本係列文章的第二部分SiC柵極驅動電路的關鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能。
2023-11-29
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商業、建築和農業車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙麵覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱係統的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對於高壓開關電源應用，碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行並非易事，即使是最好的超結矽 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由於其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用於較低的工作頻率。因此，矽 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控製的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等於或高於低壓矽 MOSFET 的開關頻率。
2023-11-12
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能實現更高的電流密度和係統可靠性的IGBT模塊
隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品係列優化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和係統可靠性。
2023-11-12
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