-
模擬技術中的 ESD 穩健設計麵臨的挑戰
隨著便攜式電子產品、“智能設備”和汽車電子產品的不斷普及，對 IC 中嵌入模擬功能的需求也不斷增加。這推動了對特定模擬技術的需求，這些技術在整個半導體市場中所占的份額越來越大。
2023-11-01
-
SiC器件如何顛覆不間斷電源設計?
不間斷電源 (UPS) 和其他基於電池的儲能係統可以確保住宅、電信設施、數據中心、工業設備、醫yi療liao設she備bei和he其qi他ta關guan鍵jian設she備bei的de持chi續xu供gong電dian。憑ping借jie先xian進jin的de半ban導dao體ti技ji術shu，這zhe些xie係xi統tong能neng夠gou確que保bao可ke靠kao供gong電dian，提ti供gong濾lv波bo功gong能neng，並bing在zai發fa生sheng短duan期qi電dian網wang斷duan電dian時shi保bao障zhang供gong電dian。對dui於yu更geng長chang時shi間jian的de停ting電dian，這zhe些xie係xi統tong可ke以yi提ti供gong足zu夠gou的de時shi間jian讓rang關guan鍵jian設she備bei安an全quan地di關guan閉bi。
2023-11-01
-
微型無線電供電貼紙可測量物體間的作用力
在zai許xu多duo情qing況kuang下xia，了le解jie一yi個ge物wu體ti對dui另ling一yi個ge物wu體ti施shi加jia了le多duo大da的de力li非fei常chang重zhong要yao。我wo們men設she計ji了le一yi種zhong小xiao而er薄bo的de貼tie紙zhi來lai測ce量liang和he傳chuan遞di這zhe類lei數shu據ju，而er不bu需xu要yao電dian線xian或huo電dian池chi。加jia州zhou大da學xue聖sheng迭die戈ge分fen校xiao的de科ke學xue家jia們men正zheng在zai開kai發fa這zhe種zhong名ming為wei ForceSticker 的設備。除其他用途外，它還可用於監測倉庫中堆疊包裹的重量，確保人工膝關節不會傷害鄰近的軟骨，甚至為機器人提供觸覺。
2023-10-26
-
QSPICE發明者隨筆——利用寬帶隙FET簡化高壓調節
Charley Moser擁有EE博士學位，是我最早的模擬設計導師之一。從他那裏，我學到了很多知識——混合pi晶體管建模、用於穩定性分析的Bode圖對最小相位係統的限製、為什麼要使用緩衝器以及如何設計緩衝器、防止擊穿的雙極基極拉電流、SCR在高溫下的使用等。其中，如何在高電壓下調節低功率是最引人注目的創新；這對我來說極具價值，因為我是多家儀器公司帶電粒子光學方案中所用高壓電源設計領域的高手。
2023-10-25
-
IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計
本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用於驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。
2023-10-25
-
基於光學發射光譜法監測等離子體的光譜峰
海洋光學（Ocean Optics）長期以來一直為半導體工藝設備供應商的新材料研究提供強大支持，同時協助用戶克服等離子刻蝕、沉積、塗tu層ceng和he清qing潔jie等deng方fang麵mian的de困kun難nan和he挑tiao戰zhan。海hai洋yang光guang學xue的de光guang譜pu儀yi，基ji於yu光guang學xue發fa射she光guang譜pu技ji術shu，被bei廣guang泛fan應ying用yong於yu等deng離li子zi體ti監jian測ce，並bing在zai刻ke蝕shi終zhong點dian檢jian測ce方fang麵mian表biao現xian出chu色se。
2023-10-24
-
如何利用碳化矽打造下一代固態斷路器
如今，碳化矽 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應用中帶來的性能優勢已經得到了廣泛認可。不過，SiC 的(de)材(cai)料(liao)優(you)勢(shi)還(hai)可(ke)能(neng)用(yong)在(zai)其(qi)他(ta)應(ying)用(yong)中(zhong)，其(qi)中(zhong)包(bao)括(kuo)電(dian)路(lu)保(bao)護(hu)領(ling)域(yu)。本(ben)文(wen)將(jiang)回(hui)顧(gu)該(gai)領(ling)域(yu)的(de)發(fa)展(zhan)，同(tong)時(shi)比(bi)較(jiao)機(ji)械(xie)保(bao)護(hu)和(he)使(shi)用(yong)不(bu)同(tong)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)實(shi)現(xian)的(de)固(gu)態(tai)斷(duan)路(lu)器(qi) (SSCB) 的優缺點。最後，本文還將討論為什麼 SiC 固態斷路器日益受到人們青睞。
2023-10-23
-
艾睿5G和Wi-Fi 6融合無線通信解決方案
5G和Wi-Fi是針對不同應用需求所開發的通信技術，看似針對不同的市場與需求，但其實彼此之間具有互補性，若能夠將5G和Wi-Fi技術相結合，將能夠發揮5G和Wi-Fi技術各自的優勢，並藉此擴大應用領域與市場。本文將為您介紹5G和Wi-Fi技術的最新發展與5G CPE（Customer Premises Equipment，用戶駐地設備）的應用模式，以及由艾睿電子、Nordic等公司推出的相關解決方案。
2023-10-23
-
射頻信號鏈的原位非線性校準
提出了一種線性化級聯組合信號IC的新方法，用於原位校正PCB缺陷和相互加載。這樣可以大幅縮短係統設計/原型設計周期，並以可忽略不計的功耗成本最大限度地提高信號鏈性能。報告了使用高達3GHz的RF信號並使用12b/10GSPS ADC進行的實驗結果，驗證了該方法的有效性。
2023-10-23
-
功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時，柵極電阻選型注意事項
本文為大家介紹氮化镓 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放(fang)大(da)，造(zao)成(cheng)電(dian)路(lu)噪(zao)聲(sheng)。為(wei)了(le)減(jian)少(shao)電(dian)路(lu)噪(zao)聲(sheng)，需(xu)要(yao)認(ren)真(zhen)考(kao)慮(lv)柵(zha)極(ji)電(dian)阻(zu)的(de)選(xuan)擇(ze)，從(cong)而(er)不(bu)必(bi)延(yan)長(chang)死(si)區(qu)時(shi)間(jian)而(er)造(zao)成(cheng)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)。本(ben)文(wen)介(jie)紹(shao)選(xuan)擇(ze)柵(zha)極(ji)電(dian)阻(zu)時(shi)的(de)考(kao)慮(lv)因(yin)素(su)，如(ru)脈(mai)衝(chong)功(gong)率(lv)、脈衝時間和溫度、穩定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優缺點。
2023-10-22
-
如何保護電源係統設計免受故障影響
正常運行時間是工業自動化、樓宇自動化、運動控製和過程控製等應用中保障生產力和盈利能力的關鍵指標。執行維護、人ren為wei失shi誤wu和he設she備bei故gu障zhang都dou會hui導dao致zhi停ting機ji。與yu停ting機ji相xiang關guan的de維wei修xiu成cheng本ben和he生sheng產chan力li損sun失shi可ke能neng非fei常chang高gao，具ju體ti取qu決jue於yu行xing業ye和he事shi件jian的de性xing質zhi。與yu維wei護hu和he人ren為wei失shi誤wu相xiang關guan的de停ting機ji無wu法fa避bi免mian，但dan大da多duo數shu與yu設she備bei相xiang關guan的de故gu障zhang是shi可ke以yi預yu防fang的de。本ben文wen重zhong點dian介jie紹shao由you電dian源yuan故gu障zhang引yin起qi的de停ting機ji，以yi及ji如ru何he在zai設she備bei的de電dian源yuan係xi統tong中zhong使shi用yong現xian代dai保bao護huIC來防止發生電源故障。
2023-10-21
-
給SiC FET設計PCB有哪些注意事項？
SiC FET（即SiC JFET和矽MOSFET的常閉共源共柵組合）等(deng)寬(kuan)帶(dai)隙(xi)半(ban)導(dao)體(ti)開(kai)關(guan)推(tui)出(chu)後(hou)，功(gong)率(lv)轉(zhuan)換(huan)產(chan)品(pin)無(wu)疑(yi)受(shou)益(yi)匪(fei)淺(qian)。此(ci)類(lei)器(qi)件(jian)具(ju)有(you)超(chao)快(kuai)的(de)開(kai)關(guan)速(su)度(du)和(he)較(jiao)低(di)的(de)傳(chuan)導(dao)損(sun)耗(hao)，能(neng)夠(gou)在(zai)各(ge)類(lei)應(ying)用(yong)中(zhong)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv)和(he)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)。然(ran)而(er)，與(yu)緩(huan)慢(man)的(de)舊(jiu)技(ji)術(shu)相(xiang)比(bi)，高(gao)電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流(liu)邊(bian)緣(yuan)速(su)率(lv)與(yu)板(ban)寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)和(he)電(dian)感(gan)的(de)相(xiang)互(hu)作(zuo)用(yong)更(geng)大(da)，可(ke)能(neng)產(chan)生(sheng)不(bu)必(bi)要(yao)的(de)感(gan)應(ying)電(dian)流(liu)和(he)電(dian)壓(ya)，導(dao)致(zhi)效(xiao)率(lv)降(jiang)低(di)，組(zu)件(jian)受(shou)到(dao)應(ying)力(li)，影(ying)響(xiang)可(ke)靠(kao)性(xing)。此(ci)外(wai)，由(you)於(yu)現(xian)在(zai)SiC FET導通電阻通常以毫歐為單位進行測量，因此，PCB跡線電阻可能相當大，須謹慎降低以保持低係統傳導損耗。
2023-10-21
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%！力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電！聖邦微電子發布雙輸出電源芯片，簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端：金升陽推出1200W可編程電源，賦能高端裝備製造
- 邊緣AI的發展為更智能、更可持續的技術鋪平道路
- 每台智能體PC，都是AI時代的新入口
- IAR作為Qt Group獨立BU攜兩項重磅汽車電子應用開發方案首秀北京車展
- 構建具有網絡彈性的嵌入式係統：來自行業領袖的洞見
- 數字化的線性穩壓器
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
