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雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化矽長期供應協議，合作開發電動汽車電源控製係統
雷諾集團旗下純智能電動汽車製造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰略合作行動，雷諾集團與意法半導體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應碳化矽 (SiC) 功率模塊的供貨協議，該協議是雷諾集團與意法半導體為安培超高效電動汽車逆變器開發電源控製係統 (powerbox) 的(de)合(he)作(zuo)計(ji)劃(hua)的(de)一(yi)部(bu)分(fen)。功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)是(shi)電(dian)源(yuan)控(kong)製(zhi)係(xi)統(tong)的(de)關(guan)鍵(jian)元(yuan)件(jian)，安(an)培(pei)和(he)意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)合(he)作(zuo)優(you)化(hua)功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)，確(que)保(bao)電(dian)驅(qu)係(xi)統(tong)具(ju)有(you)很(hen)強(qiang)的(de)性(xing)能(neng)和(he)競(jing)爭(zheng)力(li)，同(tong)時(shi)充(chong)分(fen)發(fa)揮(hui)安(an)培(pei)在(zai)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)技(ji)術(shu)方(fang)麵(mian)的(de)特(te)長(chang)和(he)意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)在(zai)先(xian)進(jin)功(gong)率(lv)元(yuan)器(qi)件(jian)研(yan)製(zhi)領(ling)域(yu)的(de)獨(du)到(dao)之(zhi)處(chu)。
2024-12-05
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麵對電動汽車和數據中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發力？
氮化镓（GaN）和碳化矽（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由於其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方麵起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。
2024-12-04
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貿澤電子與Analog Devices和Bourns聯手發布全新電子書
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持續性方麵的優勢，以及發揮這些優勢所麵臨的挑戰。
2024-12-03
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表麵形成優質的SiO2絕緣膜。這在製造SiC器件方麵具有非常大的優勢。在平麵柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，並已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用於SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
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開拓創新，引領醫療植入物與醫療保健解決方案的發展潮流
憑借超過40年的專業經驗和卓越的可靠性，瑞士微晶（Micro Crystal）生產的組件能夠滿足苛刻的醫療應用需求。特別是，其推出的首款全陶瓷封裝的實時時鍾模塊（RTC），不僅具有超低時間保持功耗，還具備防氦特性。
2024-11-28
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貿澤電子深入探討以人為本的工業5.0新變革
貿澤電子 (Mouser Electronics) 發布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術係列，重點介紹新興的工業5.0格局。在這個工業化的新階段，人類、環境和社會等因素都將作為重要的方麵，體現在未來工廠車間的先進技術、機器人和智能機器中。
2024-11-28
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創實技術electronica 2024首秀：加速國內分銷商海外拓展之路
作為全球規模最大、最具影響力的電子元器件展會，備受矚目的2024德國慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）於2024年11月12-15日，在德國·慕尼黑展覽中心盛大舉行。科技日新月異，電子元器件作為信息技術的基石，正再一次引領全球半導體產業的新一輪變革。時隔2年之久，疊加全球科技和經濟大變局，展示麵積近17,000平方米的electronica 2024，吸引了來自超50個國家和地區的3,000多家參展廠商齊聚，成為史上規模之最。
2024-11-26
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功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)基(ji)礎(chu)，隻(zhi)有(you)掌(zhang)握(wo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)熱(re)設(she)計(ji)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)精(jing)確(que)熱(re)設(she)計(ji)，提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)利(li)用(yong)率(lv)，降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)，並(bing)保(bao)證(zheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。
2024-11-25
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意法半導體披露 2027-2028 年財務模型及2030年目標實現路徑
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 於前天在法國巴黎舉辦了資本市場日活動。在公司戰略保持不變的框架內，意法半導體重申了200億+美元的營收目標和相關財務模型，預計將在 2030 年實現這一目標。意法半導體還製定了一個中期財務模型，預計2027-2028年營收約為180 億美元，營業利潤率在 22% 至 24% 之間。
2024-11-25
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【“源”察秋毫係列】多次循環雙脈衝測試應用助力功率器件研究及性能評估
隨著電力電子技術的飛速發展，功率器件在電動汽車、可再生能源、zhinengdianwangdenglingyudeyingyongriyiguangfan。zhexieyingyongduigonglvqijiandexingnenghekekaoxingtichulegenggaodeyaoqiu。tebieshizaidiandongqichelingyu，gonglvqijianxuyaozaigaodianya、高電流和高溫環境下穩定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰。同時，隨著SiC等deng寬kuan禁jin帶dai半ban導dao體ti材cai料liao的de興xing起qi，功gong率lv器qi件jian的de性xing能neng得de到dao了le顯xian著zhu提ti升sheng，但dan同tong時shi也ye帶dai來lai了le新xin的de測ce試shi需xu求qiu。如ru何he在zai保bao證zheng測ce試shi效xiao率lv的de同tong時shi，準zhun確que評ping估gu這zhe些xie先xian進jin功gong率lv器qi件jian的de性xing能neng和he壽shou命ming，成cheng為wei了le行xing業ye發fa展zhan的de關guan鍵jian。
2024-11-23
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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)的(de)基(ji)礎(chu)，隻(zhi)有(you)掌(zhang)握(wo)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)熱(re)設(she)計(ji)基(ji)礎(chu)知(zhi)識(shi)，才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)精(jing)確(que)熱(re)設(she)計(ji)，提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)的(de)利(li)用(yong)率(lv)，降(jiang)低(di)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)，並(bing)保(bao)證(zheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。
2024-11-23
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件製造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控製。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-19
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