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MOSFET靠什麼進軍IGBT的應用領域？
兩個主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們在電源係統設計中已經使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應用需求的最合適的器件類型，並解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區域。
2016-09-18
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基於兩級電流變化率檢測IGBT模塊短路的策略
為了解決傳統VCE在檢測大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的短路故障時存在的問題，在分析了IGBT短路特性的基礎上，提出了一種基於兩級電流變化率(di/dt)檢測IGBT兩類短路故障的策略。
2016-08-24
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三菱電機IGBT和IPM比翼齊飛，力保市場優勢地位
三菱電機半導體首席技術官GourabMajumdar博士，在PCIM Asia 2016展會期間提到，三菱電機的功率半導體模塊（包括其在美國合資企業Powerex）2014年和2015年的銷售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元，約占全球總銷量的23%，位居功率模塊市場首位。
2016-07-07
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DC/DC加強絕緣方案解決變頻器母線電壓監測難題
變bian頻pin器qi廣guang泛fan應ying用yong於yu工gong業ye運yun動dong控kong製zhi，電dian力li，新xin能neng源yuan，電dian梯ti，空kong調tiao，機ji械xie製zhi造zao等deng行xing業ye，它ta通tong過guo對dui工gong作zuo頻pin率lv的de控kong製zhi和he改gai變bian，讓rang設she備bei運yun行xing的de更geng加jia高gao效xiao節jie能neng，從cong而er得de以yi大da量liang應ying用yong。由you於yu變bian頻pin器qi中zhong的de電dian力li電dian子zi器qi件jian例li如ruIGBT快速的開關導致的dv/dt幹擾，使得變頻器母線電壓監測問題變得非常困難，本文主要針對這一問題進行分析，並提出解決方案。
2016-06-27
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安森美汽車電子龐大銷售市場帶動半導體行業需求與日俱增
3月yue中zhong旬xun，安an森sen美mei在zai上shang海hai舉ju辦ban一yi場chang汽qi車che電dian子zi產chan品pin線xian路lu巡xun演yan，展zhan示shi其qi半ban導dao體ti產chan品pin的de路lu線xian圖tu和he市shi場chang趨qu勢shi。根gen據ju安an森sen美mei提ti供gong的de資zi料liao顯xian示shi，去qu年nian的de年nian收shou入ru達da到dao了le35億美元，其中汽車電子占了33%，可以說，汽車電子帶來的穩定收入足以讓安森美在行業不景氣的大環境下高枕無憂。他們對於的半導體需求傳感器、功率器件、圖像傳感器、通信接口、IGBT、保護器件、無線充電、車載網絡、馬達控製、LED驅動和電源管理IC也是與日俱增。
2016-04-01
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詳解三種為IGBT“保駕護航”的驅動電路和保護方法
本文著重介紹了三個為IGBT“保駕護航”的驅動電路。驅動電路的作用是將單片機輸出的脈衝進行功率放大，以驅動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅動電路起著至關重要的作用，對IGBT驅動電路的基本要求如下。
2016-01-06
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專家解析：提高逆變效率的變壓器拓撲方法
熟悉逆變器設計的工程師都知道，要想設計出最劃算、性價比最高的變壓器，最明智的選擇就是使用IGBT，使用IGBT的(de)非(fei)線(xian)性(xing)特(te)性(xing)能(neng)夠(gou)使(shi)得(de)導(dao)通(tong)壓(ya)降(jiang)增(zeng)加(jia)緩(huan)慢(man)，從(cong)而(er)大(da)幅(fu)度(du)降(jiang)低(di)了(le)變(bian)壓(ya)器(qi)損(sun)耗(hao)，有(you)效(xiao)地(di)提(ti)升(sheng)逆(ni)變(bian)效(xiao)率(lv)。本(ben)文(wen)就(jiu)來(lai)由(you)專(zhuan)家(jia)詳(xiang)細(xi)講(jiang)解(jie)高(gao)逆(ni)變(bian)效(xiao)率(lv)的(de)拓(tuo)撲(pu)和(he)技(ji)術(shu)。
2015-12-21
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提高晶閘管dV/dt耐受性的設計訣竅，你知道嗎？
晶閘管(SCR)是一種半導體開關器件。早在1956年，Moll等人就發表了這種開關器件的理論基礎。盡管低功率器件在當代開關領域已基本銷聲匿跡，並被高壓雙極結型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代，但它們在兆瓦級開關器件領域仍無可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應用於機車驅動器中，或用來控製鋁材生產廠中的電爐等。
2015-12-07
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對比分析：DC-DC變換器的硬開關MOS和IGBT損耗對比
DC-DC變bian換huan器qi具ju有you兩liang種zhong啟qi動dong運yun行xing方fang式shi，分fen別bie是shi硬ying開kai關guan和he軟ruan開kai關guan。但dan是shi硬ying開kai關guan的de開kai關guan盒he關guan斷duan兩liang種zhong損sun耗hao是shi不bu同tong的de。具ju體ti損sun耗hao的de程cheng度du我wo們men來lai看kan一yi下xia這zhe兩liang種zhong損sun耗hao的de對dui比bi分fen析xi。
2015-08-17
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解析：IGBT的驅動過流保護電路的設計方案
本文針對IGBT的驅動過流保護問題，設計出模塊驅動過流保護電路、分離元件驅動過流保護電路。文中詳細分析了兩種不同的驅動過流保護電路的工作原理和優缺點。下麵就跟小編一起回顧。
2015-07-22
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行家指點迷津：精準選擇電動汽車的IGBT緩衝電路
電dian動dong汽qi車che已yi經jing憑ping借jie方fang便bian快kuai捷jie的de優you勢shi進jin入ru了le千qian家jia萬wan戶hu。但dan是shi電dian動dong汽qi車che能neng源yuan問wen題ti依yi舊jiu沒mei有you解jie決jue。本ben文wen就jiu由you行xing家jia為wei我wo們men指zhi點dian迷mi津jin，精jing準zhun選xuan擇ze電dian動dong汽qi車cheDC-DC變換器緩衝器，看看電動汽車變換器應該選擇什麼樣的IGBT緩衝電路更合適。
2015-07-14
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技術精講：優化電機控製中IGBT直通電流的關鍵步驟
電機控製中用到最多的就是半橋式電路中的IGBT，而在這種應用中也要確定IGBT的大小，那麼如何去優化大小呢？步驟就是基於開關功耗、產生的EMI，直通電流和可導致故障的可能性之間的權衡。所有這些因素都隨應用環境變化，包括母線電壓和開關電流大小，這些綜合起來確定IGBT的大小。
2015-07-08
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