DC-DC變換器目前有軟開關和硬開關兩種不同的啟動運行方式
，而MOS和IGBT在硬開關的前提下其開關損耗也是各有不同的。

首先我們來看一下當DC-DC轉換器處於硬開關條件下時，MOS和IGBT在開通損耗方麵的不同之處。由於MOSFET deshuchudianrongda

，qijianchuyuduantaishi，shurudianyajiazaishuchudianrongshang，shuchudianrongchucunjiaodanengliang。zaixiangjikaitongshizhexienengliangquanbuxiaohaozaiqijiannei，kaitongsunhaoda。qijiandekaitongsunhaoheshuchudianrongchengzhengbi，hepinlvchengzhengbiheshurudianyadepingfangchengzhengbi。erIGBT 的輸出電容比MOSFET小得多，斷態時電容上儲存的能量較小，故開通損耗較小。

接下來我們來看一下，在關斷損耗方麵MOS和IGBT兩種開關的損耗情況。在該條件下
，MOSFET 屬單極型器件，可以通過在施加柵極反偏電壓的方法，迅速抽走輸入電容上的電荷，加速關斷，使MOSFET 關斷時電流會迅速下降至零，不存在拖尾電流，故關斷損耗小。而IGBT 由於拖尾電流不可避免，且持續時間長（可達數微秒）
，故關斷損耗大。

綜合對MOS和IGBT開通
、關斷情況下的損耗分析可以得出，在DC-DC變換器處於硬開關的前提條件下
，MOSFET的開關損耗主要是由開通損耗引起
，而IGBT則主要是由關斷損耗引起。

因此使用MOSFET作為主開關器件的電路，應該使轉換器工作於ZVS條件下，這樣在器件開通前，漏極和源極之間的電壓先降為零，輸出電容上儲存能量很小，可以大大降低MOSFET的開通損耗。而使用IGBT作為主開關器件的電路，應該使轉換器工作於ZCS條件下，這樣在器件關斷前，流過器件的電流先降為零，可以大大降低因拖尾電流造成的關斷損耗。

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