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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛淩的祖傳手藝。在矽基產品時代，英飛淩的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP係列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化矽的時代，市麵上大部分的SiC MOSFET都是平麵型元胞，而英飛淩依然延續了溝槽路線。難道英飛淩除了“挖坑”，就不會幹別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。
2023-01-27
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低電感ANPC拓撲結構集成新型950V IGBT和二極管技術，滿足光伏應用的需求
本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術。950V IGBT結構基於微溝槽理念，與典型1200V技術相比，新型950V IGBT和二極管的靜態損耗和/或huo開kai關guan損sun耗hao顯xian著zhu降jiang低di。通tong過guo分fen析xi應ying用yong需xu求qiu與yu功gong率lv模mo塊kuai設she計ji的de相xiang互hu作zuo用yong，本ben文wen確que定ding了le功gong率lv模mo塊kuai的de應ying用yong結jie果guo和he優you化hua路lu徑jing。得de益yi於yu經jing優you化hua的de功gong率lv模mo塊kuai設she計ji和he采cai用yong950V技術，近期推出的無基板Easy3B解決方案實現了全集成1500V ANPC拓撲結構。該拓撲結構的額定電流達到400A，而雜散電感低至僅15nH。
2023-01-16
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高壓柵極驅動IC自舉電路的設計與應用指南
本文講述了一種運用功率型MOSFET和IGBTshejigaoxingnengzijushizhajiqudongdianludexitongfangfa，shiyongyugaopinlv，dagonglvjigaoxiaolvdekaiguanyingyongchanghe。butongjingyandedianlidianzigongchengshimendounengcongzhonghuoyi。zaidaduoshukaiguanyingyongzhong，kaiguangonghaozhuyaoqujueyukaiguansudu。yinci，duiyujuedabufenbenwenchanshudedagonglvkaiguanyingyong，kaiguantexingshifeichangzhongyaode。
2023-01-13
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如何優化隔離柵級驅動電路?
柵極驅動光電耦合器FOD31xx係列的功能是用作電源緩衝器，來控製功率MOSFET或IGBT的柵極。它為MOSFET 或 IGBT 的柵極輸入供應所需的峰值充電電流，來打開器件。該目標通過向功率半導體的柵極提供正壓(VOH)來實現。若要關閉MOSFET或IGBT，需拉起驅動器件的柵極至0電壓(VOL)或更低。
2023-01-10
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滿足高度緊湊型1500-V並網逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優化的ANPC拓撲結構。該拓撲結構支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術優化組合，實現成本效益。市場上將推出一款采用全集成ANPC拓撲結構的新型功率模塊，適用於高度緊湊型、高效率1500-V並網逆變器。新開發的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實現輸出功率達到200kW以上。此外，相應的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用於儲能係統等新興應用。
2023-01-10
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先進碳化矽技術，有效助力儲能係統
人們普遍認識到，碳化矽（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率範圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。這主要是由於它比以前的矽（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的de應ying用yong具ju有you更geng多duo優you勢shi，包bao括kuo更geng高gao的de開kai關guan頻pin率lv，更geng低di的de工gong作zuo溫wen度du，更geng高gao的de電dian流liu和he電dian壓ya容rong量liang，以yi及ji更geng低di的de損sun耗hao，進jin而er可ke以yi實shi現xian更geng高gao的de功gong率lv密mi度du，可ke靠kao性xing和he效xiao率lv。得de益yi於yu更geng低di的de溫wen度du和he更geng小xiao的de磁ci性xing元yuan件jian，熱re管guan理li和he電dian源yuan組zu件jian現xian在zai尺chi寸cun更geng小xiao，重zhong量liang更geng輕qing，成cheng本ben更geng低di，從cong而er降jiang低di了le總zong BOM 成本，同時也實現了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），隻要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題
高壓功率係統設計人員努力滿足矽MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基於矽的解決方案在效率和可靠性方麵通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方麵極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化矽（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。
2022-12-16
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分析自動化第三季度市場數據，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏製造業訂單增長最好，印刷、製藥、暖通空調、食品機械和電梯持平，其它行業都有降低。相關應用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設備製造商影響有變化，PLC和工控機用HMI方案和網關也有市場需求起伏。其中伺服、CNC增長率為負，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長，其中PLC整體表現相對亮眼，達到兩位數以上的增長率。
2022-12-16
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新一代1700V IGBT7技術及其在電力電子係統中的應用優勢
EconoDUAL™3是一款經典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V係列產品已經廣泛應用於級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器（SVG）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場合。隨著芯片技術的發展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛淩已經基於最新的1700V IGBT7技術開發了新一代的EconoDUAL™3模塊，並率先推出了900A和750A兩款新產品。本文首先分析了上一代最大電流等級600A的產品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應用，然後介紹了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA™3模塊的性能優化。通過與FF600R17ME4對比，分析了900A和750A的產品優勢。最後，針對級聯高壓變頻器和靜止無功發生器的應用場景，通過仿真對比，闡明了新一代IGBT產品在輸出能力和功率損耗等方麵為係統帶來的價值。
2022-12-15
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適用於下一代大功率應用的XHP2封裝
軌(gui)道(dao)交(jiao)通(tong)牽(qian)引(yin)變(bian)流(liu)器(qi)的(de)平(ping)台(tai)化(hua)設(she)計(ji)和(he)易(yi)擴(kuo)展(zhan)性(xing)是(shi)其(qi)主(zhu)要(yao)發(fa)展(zhan)方(fang)向(xiang)之(zhi)一(yi)，其(qi)對(dui)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)也(ye)提(ti)出(chu)了(le)新(xin)的(de)需(xu)求(qiu)。一(yi)方(fang)麵(mian)需(xu)要(yao)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)能(neng)滿(man)足(zu)更(geng)寬(kuan)的(de)電(dian)壓(ya)等(deng)級(ji)和(he)電(dian)流(liu)等(deng)級(ji)，另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian)也(ye)要(yao)兼(jian)容(rong)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)的(de)新(xin)技(ji)術(shu)，比(bi)如(ru)IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這zhe樣yang既ji有you利li於yu電dian力li電dian子zi係xi統tong的de平ping台tai化hua設she計ji，也ye可ke以yi增zeng加jia係xi統tong的de功gong率lv密mi度du，減jian小xiao係xi統tong的de尺chi寸cun和he體ti積ji。因yin此ci，半ban導dao體ti器qi件jian需xu要yao具ju有you更geng低di的de雜za散san電dian感gan、更大的電流等級和對稱的結構布局。本文介紹了一種新的用於大功率應用的XHP™ 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設計原理、開關特性和采用IGBT5/.XT技術可以延長模塊的使用壽命等關鍵點。
2022-12-05
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用於 EV 充電係統柵極驅動的隔離式 DC／DC 轉換器
電動汽車充電係統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 係統遷移。像碳化矽這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與矽 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關於該公司用於此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方麵。
2022-12-05
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