近日，國產SiC設備又傳來了振奮人心的消息：北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機實現了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術突破。

據了解
，該技術已經在SiC襯底製備段及器件背麵減薄段實現了小批量應用，並且獲得了頭部企業的一致認可
，而且新的減薄機協調SiC激光改質剝離切割技術，可以大幅度的降低SiC襯底成本。

碳化矽（SiC）是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》提出，我國將加速推動以SiC
、 GaN為主的第三代半導體新材料、新技術產業化進程。碳化矽產業發展被列入十四五規劃以來

，就一直處於風口浪尖狀態。

chanyehezhengcegongtongladongtanhuaguijishudefazhan，qinenggouzaiguangfandeyingyongzhongtigongxianzhudexingneng

，tongshiyuchuantongguijishuxiangbi
，jianshaoletigongtongdengxingnengsuoxudenenglianghewulikongjian。tanhuaguibushuzaigezhonggeyangdeshiyongchangjingzhong，SiC適合高功率和高頻率應用場景，如智能電網、工業控製
、新能源汽車、儲能和充電樁等行業。

在智能電網領域，傳統電網正向智能電網轉型，智能化電網設備以及優良器件的應用是實現集智能

、靈活、互動、兼容、高效等多功能於一體的關鍵。碳化矽功率器件在高溫下具有較高的穩定性與可靠性，可以確保電力係統的穩定運行。

在工業控製中，基於SiC的功率半導體器件可在高溫、高壓、高頻

、強輻射等極端環境下工作，性能優勢突出。不但可以降低驅動器的體積重量和損耗、減少音頻噪聲，還能提高功率密度和電機相應性能，其獨特的性能使其成為大功率工業驅動器中的電力電子材料的首選。

zaixinnengyuanqichelingyu，tanhuaguigonglvqijiankeyitigonggenggaogonglvmiduhegenggaodexiaolv
，congertigaodianchixuhanglichenghejianshaonengyuanxiaohao。duiyuxinnengyuanqichelaishuo，SiC具有高性能尺寸比、耐高溫、抗輻射等優勢，能夠滿足對電機驅動係統的需求，幫助係統減少尺寸、降低重量、提高係統可靠性。

在儲能和充電樁中，SiC技術能極大地降低儲能應用成本，儲能係統中包含了電源
、DC/DC轉換器、逆變器等等，碳化矽技術在這種配置下的電源模塊中可以達到減少成本、重量
、尺寸的目的
，同時還可以提高電源模塊的效率。SiC能夠承受更高的電壓（1700V到2000V），可以實現對超級快充功能的支持，從而可以提高能量轉換效率並減小產品體積。

隨著國內新能源市場的迅猛發展，碳化矽功率器的需求呈井噴式爆發，其高效率、高穩定
、高(gao)可(ke)靠(kao)等(deng)特(te)性(xing)可(ke)以(yi)滿(man)足(zu)充(chong)電(dian)樁(zhuang)的(de)需(xu)求(qiu)。目(mu)前(qian)來(lai)看(kan)，特(te)斯(si)拉(la)等(deng)國(guo)外(wai)公(gong)司(si)已(yi)經(jing)開(kai)始(shi)大(da)規(gui)模(mo)布(bu)局(ju)碳(tan)化(hua)矽(gui)車(che)型(xing)，而(er)國(guo)內(nei)的(de)廠(chang)商(shang)也(ye)在(zai)迅(xun)速(su)跟(gen)進(jin)，以(yi)比(bi)亞(ya)迪(di)為(wei)代(dai)表(biao)的(de)整(zheng)車(che)廠(chang)商(shang)已(yi)經(jing)開(kai)始(shi)全(quan)麵(mian)布(bu)局(ju)，將(jiang)碳(tan)化(hua)矽(gui)技(ji)術(shu)應(ying)用(yong)到(dao)充(chong)電(dian)樁(zhuang)以(yi)及(ji)整(zheng)車(che)中(zhong)。充(chong)電(dian)樁(zhuang)也(ye)有(you)越(yue)來(lai)越(yue)多(duo)的(de)新(xin)企(qi)業(ye)加(jia)入(ru)到(dao)了(le)這(zhe)個(ge)市(shi)場(chang)中(zhong)，市(shi)場(chang)的(de)容(rong)量(liang)在(zai)不(bu)斷(duan)地(di)擴(kuo)大(da)。

相關芯片推薦如下：

先楫HPM6200芯片：

HPM6200是先楫半導體針對新能源、儲能、高性能控製等應用市場推出的全新一代RISC-V內核芯片，HPM6200 100ps的高分辨率PWM
、16bit ADC以及可編程邏輯陣列PLA
，可以為新型的電源係統建設帶來諸多可能。其中，100ps高精度PWM可以提高電源變換器的效率
、功率密度及性價比;可單芯片實現多種電源拓撲和單芯片實現多軸電機控製;16位ADC可提高電流、電壓等信號的采樣精度;PLA可實現豐富
、多邏輯的保護，並能獨立於CPU運行
，大大提高了產品的穩定性。