SiA***DJ:Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
發布時間:2008-05-28
產品特性:
- 電壓介於 8 V 至 30 V 之間
- 4.5 V 時導通電阻值低至 0.011 Ω
- PowerPAK SC-70小型封裝
- 符合 RoHS 規範
應用範圍:
- 手機、PDA、數碼相機
- MP3 播放器、筆記本電腦、便攜式HDD
- 微型電機驅動等便攜設備
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓,除了 n 通道及 p 通道的互補對外,還包括 n 通道及 p 通道的單路、單路帶肖特基二極管的及雙路的器件。器件的電壓介於 8 V 至 30 V 之間,在 4.5 V 時導通電阻值低至 0.011 Ω。
隨(sui)著(zhe)便(bian)攜(xie)設(she)備(bei)的(de)體(ti)積(ji)越(yue)來(lai)越(yue)小(xiao),以(yi)及(ji)它(ta)們(men)功(gong)能(neng)的(de)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia),其(qi)可(ke)用(yong)電(dian)路(lu)板(ban)空(kong)間(jian)會(hui)極(ji)大(da)減(jian)少(shao)。設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)需(xu)要(yao)設(she)計(ji)體(ti)積(ji)更(geng)小(xiao)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),同(tong)時(shi)維(wei)持(chi)較(jiao)低(di)的(de)功(gong)耗(hao),從(cong)而(er)盡(jin)可(ke)能(neng)延(yan)長(chang)電(dian)池(chi)在(zai)充(chong)電(dian)間(jian)隔(ge)期(qi)間(jian)的(de)使(shi)用(yong)時(shi)間(jian)。
為了滿足此需求,PowerPAK SC-70 將 SC-70 封裝的超小尺寸與較大 TSOP-6 所對應的導通電阻相結合。上述解決方案可在實現極低的功耗,而封裝尺寸是 TSOP-6 的一半且厚度比 TSOP-6 薄 27%。除有助於節能外,PowerPAK SC-70 還是 100% 無鉛、無鹵素且符合 RoHS 規範的封裝,可滿足國際法規關於消除有害物質的要求。
Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET 的典型應用將包括為手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器、筆記本電腦、便攜式 HDD 及微型電機驅動等便攜設備負載開關及電池充電。
目前推出的器件包括SiA413DJ,它是業內首款采用此封裝尺寸的 12V 單路 p 通道器件。SiA913DJ 及 SiA912DJ分別是首款 12V 雙路 p 及 n 通道 MOSFET,而 SiA511DJ是首款 12V n 通道及 p 通道互補對。
采用 SC-70 封裝尺寸的多款器件在導通電阻方麵刷新紀錄。新型 SiA421DJ在 4.5 V 時額定電阻為 0.056 Ω,在 30V 單路 p 通道類別中的導通電阻最低。SiA914DJ的導通電阻為 0.053 Ω,是業內導通電阻最低的 20 V雙路 p 通道 MOSFET。新產品中的兩款為單板、低壓降(VF)肖特基二極管。SiA810DJ的額定電阻為 0.053 Ω,是導通電阻最低的 20 V 單路 n 通道帶肖特基二極管的器件,而 SiA811DJ的額定電阻為 0.094Ω,是導通電阻最低的 20 V 單路 p 通道帶肖特基二極管的器件。
該SiA413DJ 和SIA411DJ的額定導通電阻低至1.5V VGS,可實現較低功耗,降低了對電平相移電路的需要,從而節省了電路板空間。之前推出的采用 PowerPAK SC-70 封裝的器件包括 SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ,額定導通電阻低至1.2V VGS。另外,額定電阻為 0.011 Ω 的 SiA414DJ和額定電阻為 0.023 Ω 的 SiA417DJ是采用此封裝類型的首款器件,其額定擊穿電壓為 8V。
目前,15 款新型功率 MOSFET 的樣品和量產批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
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