產品特性：

• 采用MICRO FOOT芯片級封裝
• 1.2mm×1.0mm 的超小占位麵積
• 1.2 V 時0.084 Ω的低導通電阻範圍

應用範圍：

• 手機、PDA、
• 數碼相機
  、MP3 播放器
• 智能電話

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET
，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝
，具有很小占位麵積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。

隨sui著zhe便bian攜xie式shi電dian子zi設she備bei的de體ti積ji越yue來lai越yue小xiao，以yi及ji它ta們men功gong能neng的de不bu斷duan增zeng加jia，電dian源yuan管guan理li電dian路lu的de可ke用yong板ban麵mian空kong間jian會hui極ji大da減jian少shao。為wei實shi現xian消xiao費fei者zhe對dui電dian池chi充chong電dian間jian隔ge間jian的de電dian池chi運yun行xing時shi間jian的de期qi望wang，設she計ji人ren員yuan需xu要yao具ju有you低di功gong耗hao的de更geng小xiao MOSFET 封裝 — 這恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB所具有的特點。

憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位麵積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB具有 1.2V VGS時 0.495Ω～4.5V VGS時 0.084 Ω的低導通電阻範圍。1.2 V 時的低導通電阻額定值降低了對電平位移電路的需求，從而節約了便攜式電子設計中的空間及功率。

該新器件的典型應用將包括手機
、PDA、數碼相機
、MP3 播放器及智能電話等便攜式設備中的低閾值負載開關、充電器開關及電池管理。

目前，該新型 MICRO FOOT 芯片級功率 MOSFET 的樣品與量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。