Vishay推出通過QPL MIL-PRF-55342測試的新款表麵貼裝片式電阻---E/H (Ta2N) QPL，保證可靠性達到100ppm的“M”級失效率。新的E/H (Ta2N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術製造，為國防和航天應用提供了增強的性能規格

，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。

E/H (Ta2N) QPL電(dian)阻(zu)適(shi)用(yong)於(yu)國(guo)防(fang)和(he)航(hang)天(tian)應(ying)用(yong)的(de)控(kong)製(zhi)係(xi)統(tong)，這(zhe)些(xie)應(ying)用(yong)需(xu)要(yao)考(kao)慮(lv)在(zai)潮(chao)濕(shi)條(tiao)件(jian)下(xia)工(gong)作(zuo)或(huo)長(chang)期(qi)的(de)儲(chu)存(cun)問(wen)題(ti)。器(qi)件(jian)的(de)氮(dan)化(hua)鉭(tan)電(dian)阻(zu)膜(mo)可(ke)確(que)保(bao)耐(nai)潮(chao)水(shui)平(ping)超(chao)過(guo)MIL-PRF-55342限值的50倍。

E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜電阻具有不到-25dB的極低噪聲和0.5ppm/V的電壓係數。電阻的卷繞式端接采用了一個粘性很強的粘合層，上麵覆蓋的電鍍鎳柵層可適應+150℃的工作條件
，對典型電阻的影響小於0.010Ω。

新電阻采用01至12的M55342外形尺寸，功率等級為50mW～1000mW
，工作電壓為40V～200V
，根據不同的容差，阻值範圍為49.9Ω～3.3MΩ。

E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜電容器現已量產，供貨周期為八周到十周。