在實際應用，一般將普通的具有雙向阻斷能力、隻能控製正向導通的半控型晶閘管，直接稱為晶閘管，或者SCR（矽控整流器），而其他類型晶閘管根據它們的功能和特性命名。

 

晶(jing)閘(zha)管(guan)在(zai)通(tong)態(tai)時(shi)可(ke)以(yi)承(cheng)受(shou)非(fei)常(chang)大(da)的(de)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)，而(er)在(zai)阻(zu)態(tai)能(neng)承(cheng)受(shou)非(fei)常(chang)高(gao)的(de)電(dian)壓(ya)


，這(zhe)兩(liang)點(dian)的(de)極(ji)限(xian)值(zhi)在(zai)目(mu)前(qian)的(de)所(suo)有(you)器(qi)件(jian)中(zhong)都(dou)是(shi)最(zui)高(gao)的(de)，如(ru)果(guo)沒(mei)有(you)無(wu)法(fa)自(zi)關(guan)斷(duan)這(zhe)個(ge)嚴(yan)重(zhong)的(de)缺(que)陷(xian)，那(na)麼(me)晶(jing)閘(zha)管(guan)就(jiu)是(shi)完(wan)美(mei)的(de)電(dian)力(li)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)。這(zhe)跟(gen)晶(jing)閘(zha)管(guan)的(de)結(jie)構(gou)有(you)密(mi)切(qie)關(guan)係(xi)。

 

晶閘管也是一個三端器件，按照現有的應用習慣，其三個端子定義為陽極（A，anode）、陰極（K，cathode）和門極（G，gate）。晶閘管的符號以及對應三個端子的定義如圖1所示。

 

 

實際上一個典型的晶閘管的結構如圖2所示，一般從陽極到陰極的雜質半導體的性質為PNPN
，因此存在3個PN結，從陽極到陰極依次為J1、J2和J3。此時，這3個結不再像晶體管那樣有具體的名稱。這3個PN結可以通過合金—擴散法或全擴散法形成
，陽極、陰極和門極電極分別通過金屬連接與對應的半導體層相連接。

 

 

為了分析方便，這裏把如圖2所示的晶體管簡化成如圖3suoshidejianhuajiegoutu，bingrenweigezazhibandaotidechanzanongdushijunyunde，anzhaojingzhaguanzaishijidianluzhongdeshiyongqingkuang
，tuzhonghaigeichuleyongyujingzhaguanyunxingyuanlifenxidewaiweidianlu，zeliurujingzhaguanyangjidedianliuweiIA，流出晶閘管陰極的電流為IK
，流入晶閘管門極的電流為IG，晶閘管陽極到陰極之間的電壓為UAK。

 

 

晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重摻雜的P+和N+層
，與門極相連的重摻雜P+層
，此三層的厚度（在圖中體現為寬度）都較小，剩下的一層為相對輕摻雜的層N-層，其厚度較大，而厚度較大的輕摻雜對器件的耐壓和通態特性都有顯著的影響。
 

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