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為什麼IGBT是適合斬波應用的器件
斬波是電力電子控製中的一項變流技術，其實質是直流控製的脈寬調製，因其波形如同斬切般整齊、duicheng，gumingzhanbo。zhanbozaineikuitiaosukongzhizhongzhanyoujiweizhongyaodediwei，tabujinguanxidaotiaosudejishuxingneng，erqiezhijieyingxiangshebeideyunxinganquanhekekaoxing，yinci，ruhexuanzezhanbodianluhezhanboqijianshifenzhongyao。
2023-04-29
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快速開關TRENCHSTOP 5 IGBT
緊jin湊cou的de尺chi寸cun和he不bu斷duan降jiang低di的de係xi統tong成cheng本ben是shi電dian力li電dian子zi設she計ji的de開kai發fa者zhe一yi直zhi追zhui求qiu的de目mu標biao。現xian在zai，由you於yu家jia用yong電dian器qi消xiao耗hao的de能neng量liang不bu斷duan增zeng加jia，從cong事shi此ci類lei應ying用yong的de工gong程cheng師shi還hai有you一yi個ge目mu標biao：保持高功率因數(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這裏，功率因數校正(PFC)是強製性的，對於PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。
2023-04-28
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局麵。讓我們一起來了解超共源共柵的曆史，並探討如何將其重新用於優化現代設計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方麵的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、duanlutexingyijitierjiguandelubangxing。zhijiefanyibumianhuisenandong，burujiaruzijidelijie，zhongxinshuliyibian，xiwangnenggeidajiadailaigengduoyoujiazhidexinxi。jintianwomenzhezhongkanxiadiyibufen——短溝道效應。
2023-04-24
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如何通過優化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰
在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰》，我(wo)們(men)提(ti)到(dao)尺(chi)寸(cun)和(he)功(gong)率(lv)往(wang)往(wang)看(kan)起(qi)來(lai)像(xiang)硬(ying)幣(bi)的(de)兩(liang)麵(mian)。當(dang)你(ni)縮(suo)小(xiao)尺(chi)寸(cun)時(shi)，你(ni)不(bu)可(ke)避(bi)免(mian)地(di)會(hui)降(jiang)低(di)功(gong)率(lv)。在(zai)那(na)篇(pian)文(wen)章(zhang)中(zhong)，我(wo)們(men)介(jie)紹(shao)了(le)芯(xin)片(pian)縮(suo)小(xiao)對(dui)熱(re)性(xing)能(neng)的(de)影(ying)響(xiang)，以(yi)及(ji)如(ru)何(he)通(tong)過(guo)優(you)化(hua)芯(xin)片(pian)位(wei)置(zhi)和(he)模(mo)塊(kuai)布(bu)局(ju)來(lai)減(jian)輕(qing)這(zhe)種(zhong)影(ying)響(xiang)。現(xian)在(zai)，讓(rang)我(wo)們(men)來(lai)看(kan)看(kan)我(wo)們(men)如(ru)何(he)能(neng)夠(gou)改(gai)善(shan)電(dian)氣(qi)性(xing)能(neng)。同(tong)樣(yang)，我(wo)們(men)將(jiang)以(yi)采(cai)用(yong)TRENCHSTOP™ IGBT 7技術的新型1200V、600A EconoDUAL™ 3模塊為例，該模塊針對通用驅動（GPD）、商業、建築和農業車輛（CAV）、不間斷電源（UPS）和太陽能等應用進行了優化。
2023-04-10
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如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰
尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩麵。當你縮小尺寸時--這是我們行業中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
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為什麼逆導型IGBT可以用於大功率CCM模式 PFC電路
對於功率因數校正（PFC），通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風和空調（HVAC）以及熱泵。
2023-02-20
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一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算
與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更複雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用係數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
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具有集成反激式控製器的智能柵極驅動光耦合器
通過集成反激式控製器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設計的整體尺寸並限度地減少電磁幹擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過減少設計中的這些元素，設計人員可以實現顯著的成本節約。
2023-02-17
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MOS管開通過程的米勒效應及應對措施
在現在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要麵對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現、危害及應對方法。
2023-02-10
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如何手動計算IGBT的損耗
現(xian)今(jin)隨(sui)著(zhe)高(gao)端(duan)測(ce)試(shi)儀(yi)器(qi)和(he)仿(fang)真(zhen)軟(ruan)件(jian)的(de)普(pu)及(ji)，大(da)部(bu)分(fen)的(de)損(sun)耗(hao)計(ji)算(suan)都(dou)可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)工(gong)具(ju)自(zi)動(dong)完(wan)成(cheng)，節(jie)省(sheng)了(le)不(bu)少(shao)精(jing)力(li)，不(bu)得(de)不(bu)說(shuo)這(zhe)對(dui)工(gong)程(cheng)師(shi)來(lai)說(shuo)是(shi)一(yi)種(zhong)解(jie)放(fang)，但(dan)是(shi)這(zhe)些(xie)工(gong)具(ju)就(jiu)像(xiang)黑(hei)盒(he)子(zi)，好(hao)學(xue)的(de)小(xiao)夥(huo)伴(ban)總(zong)想(xiang)知(zhi)道(dao)工(gong)作(zuo)機(ji)理(li)。其(qi)實(shi)基(ji)礎(chu)都(dou)是(shi)大(da)家(jia)學(xue)過(guo)的(de)基(ji)本(ben)高(gao)等(deng)數(shu)學(xue)知(zhi)識(shi)。今(jin)天(tian)作(zuo)者(zhe)就(jiu)幫(bang)大(da)家(jia)打(da)開(kai)這(zhe)個(ge)黑(hei)盒(he)子(zi)，詳(xiang)細(xi)介(jie)紹(shao)一(yi)下(xia)IGBT損耗計算方法同時一起複習一下高等數學知識。
2023-02-07
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優化汽車應用的駕駛循環仿真
碳化矽（SiC）已經改變了許多行業的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉換部分。由於 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統的技術，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的係統效率並且準確的預測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓撲、係統和應用。
2023-01-28
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