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如何優化SiC柵級驅動電路？

對於高壓開關電源應用，碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控製的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等於或高於低壓矽 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本係列文章的第二部分SiC柵極驅動電路的關鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能。

2023-11-29
SiC MOSFET 器件特性知多少？

對於高壓開關電源應用，碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行並非易事，即使是最好的超結矽 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由於其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用於較低的工作頻率。因此，矽 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控製的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等於或高於低壓矽 MOSFET 的開關頻率。

2023-11-12
填穀電路諧波電流（問題）分析

在常規AC-DC開關電源中，其輸入端AC電(dian)源(yuan)經(jing)全(quan)波(bo)整(zheng)流(liu)後(hou)，一(yi)般(ban)接(jie)一(yi)個(ge)大(da)電(dian)容(rong)器(qi)，以(yi)得(de)到(dao)波(bo)形(xing)較(jiao)為(wei)平(ping)直(zhi)的(de)直(zhi)流(liu)電(dian)壓(ya)。整(zheng)路(lu)是(shi)一(yi)種(zhong)非(fei)線(xian)性(xing)元(yuan)件(jian)和(he)儲(chu)能(neng)元(yuan)件(jian)的(de)組(zu)合(he)，因(yin)此(ci)，雖(sui)輸(shu)入(ru)交(jiao)流(liu)電(dian)壓(ya)是(shi)正(zheng)弦(xian)的(de)，但(dan)輸(shu)入(ru)交(jiao)流(liu)電(dian)流(liu)波(bo)形(xing)卻(que)嚴(yan)重(zhong)畸(ji)變(bian)，呈(cheng)脈(mai)衝(chong)狀(zhuang)，輸(shu)入(ru)電(dian)流(liu)產(chan)生(sheng)嚴(yan)重(zhong)畸(ji)變(bian)的(de)結(jie)果(guo)是(shi)，電(dian)源(yuan)滿(man)載(zai)工(gong)作(zuo)時(shi)功(gong)率(lv)因(yin)素(su)不(bu)足(zu)0.6，諧波電流值很大。故在一些照明類電源，填穀電路為此能夠提供很好的解決方案。

2023-10-12
MOS管係列在服務器電源上的應用

服務器電源是指使用在服務器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關電源，指能夠將交流電轉換為服務器所需直流電的電源。

2023-09-24
反激隔離式開關電源的工作過程

反激隔離式變壓器開關電源，首先其是反激式，符合“反激”的定義，即：反激是開關管截止時，傳輸能量；其次，其有一個隔離式變壓器，這個變壓器起到隔離作用，同時會有一個匝數比，匝數比與開關管的PWM的占空比共同影響輸出電壓。不管是AC/DC還是DC/DC，到達變壓器的電壓其實是一個穩定的直流電壓。

2023-09-06
輸入衝擊電流抑製電路設計

在開關電源的輸入端存在容量較大的電容，由於電容兩端電壓不能突變的特性，設備接通瞬間電容相當於短路，這就導致開關電源輸入回路在接通瞬間有很大的衝擊電流，當輸入衝擊電流過大時，可能觸發前端供電設備的過流保護或前端空氣開關、斷(duan)路(lu)器(qi)等(deng)跳(tiao)閘(zha)保(bao)護(hu)。因(yin)此(ci)設(she)計(ji)出(chu)合(he)適(shi)的(de)輸(shu)入(ru)衝(chong)擊(ji)電(dian)流(liu)抑(yi)製(zhi)電(dian)路(lu)，可(ke)以(yi)有(you)效(xiao)的(de)避(bi)免(mian)設(she)備(bei)接(jie)通(tong)瞬(shun)間(jian)前(qian)端(duan)設(she)備(bei)觸(chu)發(fa)保(bao)護(hu)而(er)停(ting)止(zhi)工(gong)作(zuo)，從(cong)而(er)提(ti)高(gao)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

2023-09-06
納芯微容隔技術，從容應對電源難題

電器產品都會用到電源，常見的電源包括調壓電源、開關電源、逆變電源、變頻電源、bujianduandianyuandeng。dabufendianyuandouxuyaoyougeliqijian，yibaozhengshebeiherenshenanquan。yincaiyongdegelijishubutong，gelixiaoguoyebuyiyang。yinci，xuanzegelichanpinyinggaiyangchangbiduan，jinkenengjiangxitongxingnengzuodaozuijia。

2023-08-24
電源應用常見問題之輸出異常

本文簡述了開關電源應(ying)用(yong)常(chang)見(jian)問(wen)題(ti)中(zhong)的(de)輸(shu)出(chu)異(yi)常(chang)問(wen)題(ti)，並(bing)簡(jian)要(yao)分(fen)析(xi)了(le)問(wen)題(ti)產(chan)生(sheng)的(de)原(yuan)因(yin)，同(tong)時(shi)給(gei)出(chu)了(le)對(dui)應(ying)的(de)驗(yan)證(zheng)方(fang)法(fa)和(he)解(jie)決(jue)及(ji)預(yu)防(fang)的(de)辦(ban)法(fa)，以(yi)減(jian)少(shao)電(dian)源(yuan)在(zai)不(bu)同(tong)應(ying)用(yong)中(zhong)產(chan)生(sheng)輸(shu)出(chu)異(yi)常(chang)的(de)可(ke)能(neng)，提(ti)升(sheng)係(xi)統(tong)可(ke)靠(kao)性(xing)。

2023-08-17
如何優化SiC MOSFET的柵極驅動？這款IC方案推薦給您

在高壓開關電源應用中，相較傳統的矽MOSFET和IGBT，碳化矽（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用矽MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用於非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限於低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的de獨du特te器qi件jian特te性xing意yi味wei著zhe它ta們men對dui柵zha極ji驅qu動dong電dian路lu有you特te殊shu的de要yao求qiu。了le解jie這zhe些xie特te性xing後hou，設she計ji人ren員yuan就jiu可ke以yi選xuan擇ze能neng夠gou提ti高gao器qi件jian可ke靠kao性xing和he整zheng體ti開kai關guan性xing能neng的de柵zha極ji驅qu動dong器qi。在zai這zhe篇pian文wen章zhang中zhong，我wo們men討tao論lun了leSiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然後介紹了一種能夠解決這些問題和其它係統級考慮因素的IC方案。

2023-08-15
為什麼開關電源容易出故障？選型時一定要注意這些細節！

有客戶朋友曾經分享過幾張有意思的圖，壁虎“可愛地”掛在了電源PCB板上燒壞的地方。哭笑不得之餘，也讓客戶朋友疑惑，壁虎從哪裏爬進去的？電源為什麼會燒壞？

2023-08-11
如何表征電源變壓器的 EMI 性能

電源變壓器通常是隔離開關電源轉換器中共模噪聲的主要來源。為什麼？因為在變壓器內部，隔離柵初級側和次級側的繞組非常接近（通常間隔小於 1 毫米），導致相鄰繞組之間存在顯著的寄生電容。

2023-07-24
了解這些就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用於控製輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用於中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控製和感應加熱。

2023-07-18

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