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IGBT驅動器的電流隔離
通常，以以下方式描述IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：“ IGBT是場效應晶體管和雙極晶體管的組合，其中N溝道FET控製雙極晶體管”。盡管這句話很好地描述了基礎知識，但在高功率範圍的IGBT應用中，IGBT控製電路的複雜性實際上要比控製小MOSFET時要高得多。
2021-08-13
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非隔離型柵極驅動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用於電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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瑞能半導體憑碳化矽器件躋身行業前列 聚焦新賽道持續研發穩固核心競爭力
近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出後，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規模的成長，並取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化矽二極管、碳化矽MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種係列產品，明確了在碳化矽器件行業內的領先地位；zaifenxianghouxufazhancelvedetongshi，qiangtiaoleruinengbandaotiweilaidechanpinguihua，huicongchuantongxiaofeishichangkuozhandaogongyeheqichelingyuyingyongbuju，gengjiazheyanzaixiaofeidianzi、可再生能源、大數據和汽車電子領域，以及針對與國內外眾多知名客戶的合作內容和解決方案展開了交流。
2021-08-04
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如何提高汽車芯片進化電池管理係統的可靠性？
新能源汽車最核心和最貴的兩個器件是 IGBT 和電芯，圍繞這兩個器件其實在三電係統檢測和保護中芯片起到了很大的作用，隨著汽車內電壓從 12V、48V、200V+、400V+最後到 800V，監測和保護的芯片電路的功能重要性也越來越重要。當然這部分成本在 BMS、逆變器裏麵也占了不小的成本比例。
2021-08-03
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探索高壓輸電——第2部分：電壓源換流器
VSC目前已成為首選實施對象，原因如下：VSC具有較低的係統成本，因為它們的配站比較簡單。VSC實現了電流的雙向流動，更易於反轉功率流方向。VSC可以控製AC側的有功和無功功率。VSC不像LCC那樣依賴於AC網絡，因此它們可以向無源負載供電並具有黑啟動能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無需進行晶閘管所需的換流操作，並可實現雙向電流流動。
2021-07-08
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用NTC為功率模塊做溫控效果如何？
溫度控製是 MOSFET 或 IGBT 功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些 MOSFET 配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監控溫度。半導體矽 PTC 熱敏電阻可以很好進行電流控製，或鉑基或铌基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表麵貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片，NTC 熱re敏min電dian阻zu仍reng是shi靈ling敏min度du優you異yi，用yong途tu廣guang泛fan的de溫wen度du傳chuan感gan器qi。隻zhi要yao設she計ji得de當dang，可ke確que保bao模mo塊kuai正zheng確que降jiang額e，並bing最zui終zhong在zai過guo熱re或huo外wai部bu溫wen度du過guo高gao的de情qing況kuang下xia關guan斷duan模mo塊kuai。
2021-07-04
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什麼是柵極－源極電壓產生的浪湧？
MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用於各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至於開關時的電壓和電流的變化已經無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時，可能會發生意想不到的正浪湧或負浪湧，需要對此采取對策。
2021-06-10
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如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應
本文主要介紹了由於米勒電容器引起的寄生導通效應，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應。在操作IGBT時麵臨的常見問題之一是由於米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-19
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瑞能半導體將攜IGBT和碳化矽等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會
中國上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會即將於4月14日至16日(ri)在(zai)上(shang)海(hai)新(xin)國(guo)際(ji)博(bo)覽(lan)中(zhong)心(xin)舉(ju)辦(ban)。慕(mu)尼(ni)黑(hei)上(shang)海(hai)電(dian)子(zi)展(zhan)作(zuo)為(wei)電(dian)子(zi)行(xing)業(ye)展(zhan)覽(lan)，是(shi)行(xing)業(ye)內(nei)重(zhong)要(yao)的(de)盛(sheng)事(shi)。本(ben)屆(jie)慕(mu)尼(ni)黑(hei)上(shang)海(hai)電(dian)子(zi)展(zhan)覽(lan)會(hui)將(jiang)彙(hui)聚(ju)近(jin)千(qian)家(jia)國(guo)內(nei)外(wai)優(you)質(zhi)電(dian)子(zi)企(qi)業(ye)，涵(han)蓋(gai)從(cong)產(chan)品(pin)設(she)計(ji)到(dao)應(ying)用(yong)落(luo)地(di)的(de)上(shang)下(xia)遊(you)產(chan)業(ye)，展(zhan)示(shi)內(nei)容(rong)包(bao)括(kuo)了(le)半(ban)導(dao)體(ti)、傳感器、物聯網技術、汽車電子及測試等。
2021-04-08
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IGBT雙脈衝測試詳解
dianyuanshebeiyingjianzhugonglvbufendedianluxingnengzhijieyingxiangchanpinpinzhi，dankaifaguochengzhong，zaiyangjiceshijieduancainengduiqixingnengjinxingpingce。youxiegongsiweibaozhengchanpinkaifajindu，jincaiqubudeyidebujiucuoshi，chanpinbujinfeizuiyousheji，shenzhihuigeichanpindezhiliangmaixiayinhuan。erwosizaichanpinshejichuqijiucaiyongIGBT雙脈衝測試，提前對硬件電路設計進行多維度測試評估，在保證產品是最優設計的基礎上，提高產品開發效率。
2021-02-07
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使用 IGBT模塊簡化電機驅動裝置和逆變器的設計
電機和逆變器的使用在工業自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應用中日漸增長。隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設計的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設計定製電機和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力，但從長遠來看，這樣做的成本很高，而且會延誤設計進度。
2020-12-28
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具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
氮化镓(GaN)半導體的物理特性與矽器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)隻有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
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