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高電壓動態響應測試：快速負載切換下的擺率特性研究
低電壓大電流供電場景下（如微處理器及ASIC芯片），電源係統需滿足嚴苛的電壓容限要求，其動態響應特性在負載瞬態工況下尤為關鍵。此類電源的測試驗證工作麵臨雙重挑戰：既要捕捉納秒級電流突變引發的細微電壓波動，又需建立精準的規範符合性評估基準。
2025-04-18
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從混動支線機到氫能飛行器：Vicor模塊化電源的航空減碳路線圖
目前可用的商業航空數據顯示，歐洲乃至全世界對額外運力的需求是不爭的事實。空中客車公司預測，到 2038 年，全球商業航空的年均增長率將達到 4.3%。
2025-04-17
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氣體傳感器選型指南：環境適應性、成本分析與核心IC解決方案
氣體傳感器作為環境監測的核心部件，廣泛應用於工業安全、智能家居、汽車電子、醫療設備等領域。不同應用場景對傳感器的溫度適應性、檢測精度、成本控製提出差異化需求。本文將深入解析五大主流氣體傳感器（電化學、半導體、紅外、催化燃燒、PID）在不同環境下的性能表現，並對比ADI、TI、Bosch等核心IC廠商的解決方案。
2025-04-16
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意法半導體監事會聲明
意法半導體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監事會對 4 月 9 日意大利媒體的報道作出三點評論。
2025-04-15
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SiC MOSFET技術賦能AI數據中心，實現電源轉換能效質的飛躍
隨sui著zhe數shu據ju中zhong心xin耗hao電dian量liang急ji劇ju增zeng加jia，行xing業ye更geng迫po切qie地di需xu要yao能neng夠gou高gao效xiao轉zhuan換huan電dian力li的de功gong率lv半ban導dao體ti。這zhe種zhong需xu求qiu的de增zeng長chang一yi方fang麵mian是shi為wei了le降jiang低di運yun營ying成cheng本ben，另ling一yi方fang麵mian是shi為wei了le減jian少shao溫wen室shi氣qi體ti排pai放fang，以yi實shi現xian淨jing零ling排pai放fang的de目mu標biao。此ci外wai，業ye界jie也ye在zai不bu斷duan追zhui求qiu成cheng本ben更geng低di、尺寸更小的電源係統。
2025-04-14
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SiC如何讓EA10000電源效率飆升？電源技術優勢全解剖
為應對氣候變化挑戰，全球能源轉型已進入技術攻堅階段：非化石能源裝機占比突破50%的可再生電力係統加速構建，交通領域電氣化率以年均12%的增速持續攀升。這場變革正催生顛覆性的功率需求——電動汽車動力電池係統電壓平台躍升至900VDC+，能量密度突破95kWh；超充樁單槍輸出功率突破240kW技術門檻；氫燃料電池堆更以500kW級功率模塊和1000A級質子交換膜電堆，重構車載能源係統的功率邊界。
2025-04-14
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權威認證！貿澤電子斬獲Amphenol SV Microwave全球代理商年度大獎
全球知名電子元器件分銷商貿澤電子近日再度榮膺Amphenol SV Microwave 2024年度全球代理商殊榮，這已是其連續第三年斬獲該行業權威獎項。作為射頻(RF)/微波領域的技術領航者，Amphenol SV Microwave的全係列創新產品組合——涵蓋高頻連接器、高性能電纜組件及精密無源元件——均可通過貿澤一站式采購平台便捷獲取。
2025-04-13
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貿澤電子發布工業4.0線上資源預測性維護解決方案
全球業界知名電子元器件代理商貿澤電子（Mouser Electronics）今日正式推出全新工業4.0線上資源預測性維護解決方案，標誌著工業設備運維正式邁入AI驅(qu)動(dong)時(shi)代(dai)。該(gai)平(ping)台(tai)深(shen)度(du)融(rong)合(he)邊(bian)緣(yuan)計(ji)算(suan)與(yu)機(ji)器(qi)學(xue)習(xi)技(ji)術(shu)，為(wei)製(zhi)造(zao)業(ye)數(shu)字(zi)化(hua)轉(zhuan)型(xing)提(ti)供(gong)端(duan)到(dao)端(duan)技(ji)術(shu)賦(fu)能(neng)方(fang)案(an)。新(xin)網(wang)站(zhan)探(tan)討(tao)了(le)預(yu)測(ce)性(xing)維(wei)護(hu)蘊(yun)藏(zang)的(de)機(ji)遇(yu)和(he)優(you)勢(shi)，為(wei)讀(du)者(zhe)的(de)設(she)計(ji)之(zhi)旅(lv)提(ti)供(gong)支(zhi)持(chi)。
2025-04-11
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碳化矽能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解
安森美（onsemi）推出的碳化矽共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》係列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅係統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數、獨特性能優勢及設計支持體係進行全方位解讀，為功率半導體開發者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。
2025-04-08
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CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結 見證巔峰時刻
科技浪潮奔湧不息，從生成式AI重新定義內容創作，到Micro LEDdianfuxianshijishu，congliangzijisuantupocunchujixian，daowurenjizhongxindingyidikongjingji，quanqiudianzixinxichanyezhengyijingrendesududiedaichuangxin。zaizhechangjishubiangedehongliuzhong，ruhebuzhuoqushi、鏈接生態、賦能未來？2025年4月9日—11日，將在深圳會展中心（福田）揭曉巔峰時刻。
2025-04-07
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第18講：SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低於Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，並仔細設計控製電路布線，這是為了防止噪聲幹擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
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意法半導體與英諾賽科簽署氮化镓技術開發與製造協議
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本矽基氮化镓（GaN-on-Si）製造全球領軍企業英諾賽科（香港聯合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化镓技術開發與製造協議。雙方將充分發揮各自優勢，提升氮化镓功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。
2025-04-01
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