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IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
IGBT7作為英飛淩最新一代IGBT技術平台，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平台伺服驅動中的測試，得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低於IGBT4。
2021-11-26
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業
功率器件作為半導體產業的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統的矽基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發展，占據了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業界的持續關注。
2021-11-10
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無刷直流 (BLDC) 電機設計：新起點
無刷直流電機(BLDC)設計很複雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅動器產品組合中開始選擇電子器件(舊的起點) 是茫然無助的。
2021-10-22
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IGBT換流回路中雜散電感的測量
換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩，EMI或huo者zhe電dian壓ya過guo衝chong等deng問wen題ti。因yin此ci在zai電dian路lu設she計ji的de時shi候hou需xu要yao特te別bie留liu意yi。本ben文wen給gei出chu了le電dian路lu雜za散san電dian感gan的de測ce量liang方fang法fa以yi及ji模mo塊kuai數shu據ju手shou冊ce中zhong雜za散san電dian感gan的de定ding義yi方fang法fa。
2021-10-14
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什麼情況下應該從矽片轉換到寬帶隙技術？
自從寬帶隙 (WBG) 器(qi)件(jian)誕(dan)生(sheng)以(yi)來(lai)，為(wei)功(gong)率(lv)變(bian)換(huan)應(ying)用(yong)帶(dai)來(lai)了(le)一(yi)股(gu)令(ling)人(ren)激(ji)動(dong)的(de)浪(lang)潮(chao)。但(dan)是(shi)，在(zai)什(shen)麼(me)情(qing)況(kuang)下(xia)從(cong)矽(gui)片(pian)轉(zhuan)換(huan)到(dao)寬(kuan)帶(dai)隙(xi)技(ji)術(shu)才(cai)有(you)意(yi)義(yi)呢(ne)？迄(qi)今(jin)為(wei)止(zhi)，屏(ping)蔽(bi)柵(zha)極(ji) MOSFET、超級結器件和 IGBT等基於矽的功率器件已經很好地在業界得到大規模應用。這些器件在品質因數 (FoM) 方麵不斷改進，加上在拓撲架構和開關機理等方麵的進步，使工程師能夠實現更高的係統效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛淩最近推出了係列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了係統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控製特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛淩英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫？英飛淩官網在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模塊及散熱係統的等效熱模型
功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)作(zuo)為(wei)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)裝(zhuang)置(zhi)的(de)核(he)心(xin)器(qi)件(jian)，在(zai)設(she)計(ji)及(ji)使(shi)用(yong)過(guo)程(cheng)中(zhong)如(ru)何(he)保(bao)證(zheng)其(qi)可(ke)靠(kao)運(yun)行(xing)，一(yi)直(zhi)都(dou)是(shi)研(yan)發(fa)工(gong)程(cheng)師(shi)最(zui)為(wei)關(guan)心(xin)的(de)問(wen)題(ti)。功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)除(chu)了(le)要(yao)考(kao)核(he)其(qi)電(dian)氣(qi)特(te)性(xing)運(yun)行(xing)在(zai)安(an)全(quan)工(gong)作(zuo)區(qu)以(yi)內(nei)，還(hai)要(yao)對(dui)器(qi)件(jian)及(ji)係(xi)統(tong)的(de)熱(re)特(te)性(xing)進(jin)行(xing)精(jing)確(que)設(she)計(ji)，才(cai)能(neng)既(ji)保(bao)證(zheng)器(qi)件(jian)長(chang)期(qi)可(ke)靠(kao)運(yun)行(xing)，又(you)充(chong)分(fen)挖(wa)掘(jue)器(qi)件(jian)的(de)潛(qian)力(li)。
2021-08-23
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利用SiC FET降低電磁幹擾和開關損耗
器件緩衝似乎是處理開關過衝、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對於諸如IGBT之類較老的技術來說確實如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術用為柵極電阻調諧的優良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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大功率晶閘管參數解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控製特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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