開關電源電流檢測方法基本知識談
發布時間:2018-06-28 責任編輯:lina
【導讀】電流模式控製由於其高可靠性、環路補償設計簡單、fuzaifenpeigongnengjiandankekaodetedian,beiguangfanyongyukaiguanmoshidianyuan。dianliujiancexinhaoshidianliumoshikaiguanmoshidianyuanshejidezhongyaozuchengbufen,tayongyutiaojieshuchubingtigongguoliubaohu。tu1顯示了 ADI LTC3855同步開關模式降壓電源的電流檢測電路。LTC3855是一款具有逐周期限流功能的電流模式控製器件。檢測電阻RS監測電流。
基本知識談
電流模式控製由於其高可靠性、環路補償設計簡單、fuzaifenpeigongnengjiandankekaodetedian,beiguangfanyongyukaiguanmoshidianyuan。dianliujiancexinhaoshidianliumoshikaiguanmoshidianyuanshejidezhongyaozuchengbufen,tayongyutiaojieshuchubingtigongguoliubaohu。tu1顯示了 ADI LTC3855同步開關模式降壓電源的電流檢測電路。LTC3855是一款具有逐周期限流功能的電流模式控製器件。檢測電阻RS監測電流。

圖1. 開關模式電源電流檢測電阻(RS)
圖2顯示了兩種情況下電感電流的示波器圖像:第一種情況使用電感電流能夠驅動的負載(紅線),而在第二種情況下,輸出短路(紫線)。

圖2. LTC3855限流與折返示例,在1.5 V/15 A供電軌上測量
最初,峰值電感電流由選定的電感值、電源開關導通時間、電路的輸入和輸出電壓以及負載電流設置(圖中用“1”表示)。當電路短路時,電感電流迅速上升,直至達到限流點,即 RS × IINDUCTOR (IL)等於最大電流檢測電壓,以保護器件和下遊電路(圖中用“2”表示)。然後,內置電流折返限製(圖中數字“3”)進一步降低電感電流,以將熱應力降至最低。
電流檢測還有其他作用。在多相電源設計中,利用它能實現精確均流。對於輕負載電源設計,它可以防止電流反向流動,從而提高效率(反向電流指反向流過電感的電流,即從輸出到輸入的電流,這在某些應用中可能不合需要,甚至具破壞性)。另ling外wai,當dang多duo相xiang應ying用yong的de負fu載zai較jiao小xiao時shi,電dian流liu檢jian測ce可ke用yong來lai減jian少shao所suo需xu的de相xiang數shu,從cong而er提ti高gao電dian路lu效xiao率lv。對dui於yu需xu要yao電dian流liu源yuan的de負fu載zai,電dian流liu檢jian測ce可ke將jiang電dian源yuan轉zhuan換huan為wei恒heng流liu源yuan,以yi用yong於yuLED驅動、電池充電和驅動激光等應用。
檢測電阻放哪最合適?
電流檢測電阻的位置連同開關穩壓器架構決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、穀值電感電流(連續導通模式下電感電流的最小值)和平均輸出流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監控電路看到的共模電壓。
放置在降壓調節器高端
對於降壓調節器,電流檢測電阻有多個位置可以放置。當放置在頂部MOSFET的高端時(如圖3所示),它會在頂部MOSFET 導通時檢測峰值電感電流,從而可用於峰值電流模式控製電源。但是,當頂部MOSFET關斷且底部MOSFET導通時,它不測量電感電流。

圖3. 帶高端RSENSE的降壓轉換器
在這種配置中,電流檢測可能有很高的噪聲,原因是頂部 MOSFET的導通邊沿具有很強的開關電壓振蕩。為使這種影響最小,需要一個較長的電流比較器消隱時間(比較器忽略輸入的時間)。這會限製最小開關導通時間,並且可能限製最小占空比(占空比 = VOUT/VIN)和最大轉換器降壓比。注意在高端配置中,電流信號可能位於非常大的共模電壓(VIN)之上。
放置在降壓調節器低端
圖4中,檢測電阻位於底部MOSFET下方。在這種配置中,它檢測穀值模式電流。為了進一步降低功率損耗並節省元件成本,底部FET RDS(ON)可用來檢測電流,而不必使用外部電流檢測電阻RSENSE。

圖4. 帶低端RSENSE的降壓轉換器
zhezhongpeizhitongchangyongyuguzhimoshikongzhidedianyuan。taduizaoshengkenengyehenmingan,danzaizhezhongqingkuangxia,tazaizhankongbijiaodashihenmingan。guzhimoshikongzhidejiangyazhuanhuanqizhichigaojiangyabi,danyouyuqikaiguandaotongshijianshiguding/ 受控的,故最大占空比有限。
降壓調節器與電感串聯
圖5中,電流檢測電阻RSENSE與電感串聯,因此可以檢測連續電感電流,此電流可用於監測平均電流以及峰值或穀值電流。所以,此配置支持峰值、穀值或平均電流模式控製。

圖5. RSENSE與電感串聯
這種檢測方法可提供最佳的信噪比性能。外部RSENSE通常可提供非常準確的電流檢測信號,以實現精確的限流和均流。但是,RSENSE也會引起額外的功率損耗和元件成本。為了減少功率損耗和成本,可以利用電感線圈直流電阻(DCR)檢測電流,而不使用外部RSENSE。
放置在升壓和反相調節器的高端
對於升壓調節器,檢測電阻可以與電感串聯,以提供高端檢測 (圖6)。

圖6. 帶高端RSENSE的升壓轉換器
升壓轉換器具有連續輸入電流,因此會產生三角波形並持續監測電流。
放置在升壓和反相調節器的低端
檢測電阻也可以放在底部MOSFET的低端,如圖7所示。此處監測峰值開關電流(也是峰值電感電流),每半個周期產生一個電流波形。MOSFET開關切換導致電流信號具有很強的開關噪聲。
圖7. 帶低端RSENSE的升壓轉換器
SENSE電阻放置在升降壓轉換器低端或與電感串聯
圖8顯示了一個4開關升降壓轉換器,其檢測電阻位於低端。當輸入電壓遠高於輸出電壓時,轉換器工作在降壓模式;當輸入電壓遠低於輸出電壓時,轉換器工作在升壓模式。在此電路中,檢測電阻位於4開關H橋配置的底部。器件的模式(降壓模式或升壓模式)決定了監測的電流。

圖8. 帶低端RSENSE的升壓轉換器
在降壓模式下(開關D一直導通,開關C一直關斷),檢測電阻監測底部開關B電流,電源用作穀值電流模式降壓轉換器。
在升壓模式下(開關A一直導通,開關B一直關斷),檢測電阻與底部MOSFET (C)chuanlian,bingzaidiangandianliushangshengshiceliangfengzhidianliu。zaizhezhongmoshixia,youyubujianceguzhidiangandianliu,yincidangdianyuanchuyuqingfuzaizhuangtaishi,hennanjiancefudiangandianliu。fudiangandianliuyiweizhediannengcongshuchuduanchuanhuishuruduan,danyouyuzhezhongchuanshuhuiyousunhao,guxiaolvhuishousun。duiyudianchigongdianxitongdengyingyong,qingfuzaixiaolvhenzhongyao,zhezhongdianliujiancefangfabuhexuyao。
圖9電路解決了這個問題,其將檢測電阻與電感串聯,從而在降壓和升壓模式下均能連續測量電感電流信號。由於電流檢測 RSENSE連接到具有高開關噪聲的SW1節點,因此需要精心設計控製器IC,使內部電流比較器有足夠長的消隱時間。

圖9. LT8390升降壓轉換器,RSENSE與電感串聯
輸入端也可以添加額外的檢測電阻,以實現輸入限流;或者添加在輸出端,用於電池充電或驅動LED等恒定輸出電流應用。這種情況下需要平均輸入或輸出電流信號,因此可在電流檢測路徑中增加一個強RC濾波器,以減少電流檢測噪聲。
電流檢測方法使用說明書
開關模式電源有三種常用電流檢測方法是:使用檢測電阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優點和缺點,選擇檢測方法時應予以考慮。
檢測電阻電流傳感
作為電流檢測元件的檢測電阻,產生的檢測誤差最低(通常在1%和5%之間),溫度係數也非常低,約為100 ppm/°C (0.01%)。在性能方麵,它提供精度最高的電源,有助於實現極為精確的電源限流功能,並且在多個電源並聯時,還有利於實現精密均流。

圖10. RSENSE電流檢測
另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian),因(yin)為(wei)電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)中(zhong)增(zeng)加(jia)了(le)電(dian)流(liu)檢(jian)測(ce)電(dian)阻(zu),所(suo)以(yi)電(dian)阻(zu)也(ye)會(hui)產(chan)生(sheng)額(e)外(wai)的(de)功(gong)耗(hao)。因(yin)此(ci),與(yu)其(qi)他(ta)檢(jian)測(ce)技(ji)術(shu)相(xiang)比(bi),檢(jian)測(ce)電(dian)阻(zu)電(dian)流(liu)監(jian)測(ce)技(ji)術(shu)可(ke)能(neng)有(you)更(geng)高(gao)的(de)功(gong)耗(hao),導(dao)致(zhi)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)整(zheng)體(ti)效(xiao)率(lv)有(you)所(suo)下(xia)降(jiang)。專(zhuan)用(yong)電(dian)流(liu)檢(jian)測(ce)電(dian)阻(zu)也(ye)可(ke)能(neng)增(zeng)加(jia)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)成(cheng)本(ben),雖(sui)然(ran)一(yi)個(ge)檢(jian)測(ce)電(dian)阻(zu)的(de)成(cheng)本(ben)通(tong)常(chang)在(zai)0.05美元至0.20美元之間。
選擇檢測電阻時不應忽略的另一個參數是其寄生電感(也稱為有效串聯電感或ESL)。檢測電阻可以用一個電阻與一個有限電感串聯來正確模擬。

圖11. RSENSE ESL模型
此電感取決於所選的特定檢測電阻。某些類型的電流檢測電阻,例如金屬板電阻,具有較低的ESL,應優先使用。相比之下,繞線檢測電阻由於其封裝結構而具有較高的ESL,應避免使用。一般來說,ESL效應會隨著電流的增加、jiancexinhaofududejianxiaoyijibujubuhelierbiandegengjiamingxian。dianludezongdianganhaibaokuoyouyuanjianyinxianheqitadianluyuanjianyinqidejishengdiangan。dianludezongdianganyeshoudaobujudeyingxiang,yincibixutuoshankaolvyuanjiandebuju,buqiadangdebujukenengyingxiangwendingxingbingjiajuxianyoudianlushejiwenti。
檢測電阻ESL的影響可能很輕微,也可能很嚴重。ESLhuidaozhikaiguanzhajiqudongqifashengmingxianzhendang,congerduikaiguandaotongchanshengbuliyingxiang。tahaihuizengjiadianliujiancexinhaodewenbo,daozhiboxingzhongchuxiandianyajieyue,erbushiyuqiderutu13所示的鋸齒波形。這會降低電流檢測精度。

圖12. RSENSE ESL可能會對電流檢測產生不利影響
為使電阻ESL最小,應避免使用具有長環路(如繞線電阻)或長引線(如厚電阻)的檢測電阻。薄型表麵貼裝器件是首選,例子包括板結構SMD尺寸0805、1206、2010和2512,更好的選擇包括倒幾何SMD尺寸0612和1225。
基於功率MOSFET的電流檢測
利用MOSFET RDS(ON)進行電流檢測,可以實現簡單且經濟高效的電流檢測。LTC3878是一款采用這種方法的器件。它使用恒定導通時間穀值模式電流檢測架構。頂部開關導通固定的時間,此後底部開關導通,其RDS壓降用於檢測電流穀值或電流下限。

圖13. MOSFET RDS(ON)電流檢測
雖然價格低廉,但這種方法有一些缺點。首先,其精度不高, RDS(ON)值可能在很大的範圍內變化(大約33%或更多)。其溫度係數可能也非常大,在100°C以上時甚至會超過80%。另外,如果使用外部MOSFET,則必須考慮MOSFET寄生封裝電感。這種類型的檢測不建議用於電流非常高的情況,特別是不適合多相電路,此類電路需要良好的相位均流。
電感DCR電流檢測
電感直流電阻電流檢測采用電感繞組的寄生電阻來測量電流,從而無需檢測電阻。這樣可降低元件成本,提高電源效率。與MOSFET RDS(ON)相比,銅線繞組的電感DCRdeqijianjianpianchatongchangjiaoxiao,buguorengranhuisuiwenduerbianhua。tazaidishuchudianyayingyongzhongshoudaoqinglai,yinweijiancedianzushangderenheyajiangdoudaibiaoshuchudianyadeyigexiangdangdabufen。jiangyigeRC網絡與電感和寄生電阻的串聯組合並聯,檢測電壓在電容C1上測量(圖15)。

圖14. 電感DCR電流檢測
通過選擇適當的元件(R1 × C1 = L/DCR),電容C1兩端的電壓將與電感電流成正比。為了最大限度地減少測量誤差和噪聲,最好選擇較低的R1值。
dianlubuzhijieceliangdiangandianliu,yinciwufajiancedianganbaohe。tuijianshiyongruanbaohedediangan,rufenxindiangan。yutongdengtiexindianganxiangbi,cileidiangandecixinsunhaotongchangjiaogao。yuRSENSE方法相比,電感DCR檢測不存在檢測電阻的功率損耗,但可能會增加電感的磁芯損耗。
使用RSENSE和DCR兩種檢測方法時,由於檢測信號較小,故均需要開爾文檢測。必須讓開爾文檢測痕跡(圖5中的SENSE+和 SENSE-)遠離高噪聲覆銅區和其他信號痕跡,以將噪聲提取降至最低,這點很重要。某些器件(如LTC3855)具有溫度補償DCR檢測功能,可提高整個溫度範圍內的精度。
表1. 電流檢測方法的優缺點

表1中提到的每種方法都為開關模式電源提供額外的保護。取決於設計要求,精度、效率、熱應力、保護和瞬態性能方麵的權衡都可能影響選擇過程。電源設計人員需要審慎選擇電流檢測方法和功率電感,並正確設計電流檢測網絡。ADI公司的LTpowerCAD設計工具和LTspice®電路仿真工具等計算機軟件程序,對簡化設計工作並獲得最佳結果會大有幫助。
其他電流檢測方法
還hai有you其qi他ta電dian流liu檢jian測ce方fang法fa可ke供gong使shi用yong。例li如ru,電dian流liu檢jian測ce互hu感gan器qi常chang常chang與yu隔ge離li電dian源yuan一yi起qi使shi用yong,以yi跨kua越yue隔ge離li柵zha對dui電dian流liu信xin號hao信xin息xi提ti供gong保bao護hu。這zhe種zhong方fang法fa通tong常chang比bi上shang述shu三san種zhong技ji術shu更geng昂ang貴gui。此ci外wai,近jin年nian來lai集ji成cheng柵zha極ji驅qu動dong器qi(DrMOS)和電流檢測的新型功率MOSFET也已出現,但到目前為止,還沒有足夠的數據來推斷DrMOS在檢測信號的精度和質量方麵表現如何。
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