動態RAM的工作原理，動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳複用來組成的。

 

 

 

3管動態RAM的基本存儲電路如圖所示。在這個電路中
，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數據線和寫數據線也是分開的。

 

寫操作時，寫選擇線為“1”，所以Q1導通
，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。

 

讀操作時

，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時
，Q3處於可導通的狀態。若原來存有“1”，則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3
、Q2放電，此時讀得的信息為“0”
，正好和原存信息相反；若原存信息為“0”，則Q3盡管具備導通條件
，但因為Q2截止，所以
，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為“1”。可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反
，所以要通過讀出放大器進行反相再送往數據總線。

 

 

NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術
，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本

、提高存儲容量。

 

 

閃存結合了EPROM的高密度和EEPROM結構的變通性的優點。

 

 

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去
，然後重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區
，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶矽柵極浮空在絕緣層中
，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（例如負電荷），就在其下麵

，源極和漏極之間感應出正的導電溝道
，使MOS管導通

，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

 

 

 

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如圖所示。與EPROM相似
，它是在EPROM基(ji)本(ben)單(dan)元(yuan)電(dian)路(lu)的(de)浮(fu)空(kong)柵(zha)極(ji)的(de)上(shang)麵(mian)再(zai)生(sheng)成(cheng)一(yi)個(ge)浮(fu)空(kong)柵(zha)，前(qian)者(zhe)稱(cheng)為(wei)第(di)一(yi)級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)
，後(hou)者(zhe)稱(cheng)為(wei)第(di)二(er)級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)。可(ke)給(gei)第(di)二(er)級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)引(yin)出(chu)一(yi)個(ge)電(dian)極(ji)，使(shi)第(di)二(er)級(ji)浮(fu)空(kong)柵(zha)極(ji)接(jie)某(mou)一(yi)電(dian)壓(ya)VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。

 

 

 

閃存的基本單元電路與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄
，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相xiang同tong。擦ca除chu方fang法fa是shi在zai源yuan極ji加jia正zheng電dian壓ya利li用yong第di一yi級ji浮fu空kong柵zha與yu漏lou極ji之zhi間jian的de隧sui道dao效xiao應ying
，將jiang注zhu入ru到dao浮fu空kong柵zha的de負fu電dian荷he吸xi引yin到dao源yuan極ji。由you於yu利li用yong源yuan極ji加jia正zheng電dian壓ya擦ca除chu
，因yin此ci各ge單dan元yuan的de源yuan極ji聯lian在zai一yi起qi，這zhe樣yang，擦ca除chu不bu能neng按an字zi節jie擦ca除chu，而er是shi全quan片pian或huo者zhe分fen塊kuai擦ca除chu。隨sui著zhe半ban導dao體ti技ji術shu的de改gai進jin，閃shan存cun也ye實shi現xian了le單dan晶體管設計
，主要就是在原有的晶體管上加入浮空柵和選擇柵，

 

 

 

NAND閃存陣列分為一係列128kB的區塊（block）

，這些區塊是NAND器件中最小的可擦除實體。擦除一個區塊就是把所有的位（bit）設置為“1”（而所有字節（byte）設置為FFh）。有必要通過編程，將已擦除的位從“1”變為“0”。最小的編程實體是字節（byte）。一些NOR閃存能同時執行讀寫操作。雖然NAND不能同時執行讀寫操作
，它可以采用稱為“映射（shadowing）”的方法
，在係統級實現這一點。這種方法在個人電腦上已經沿用多年
，即將BIOS從速率較低的ROM加載到速率較高的RAM上。