內置MOS的1.5A—5V的充電器的逆天設計
發布時間:2014-12-01 責任編輯:echolady
【導讀】充電器的設計是常常被電子工程師練手的設計方案,也因此各種不同種類的充電器被設計出來。本文將要設計師六級能效的SOP7內置MOS的充電器,相信能為電子發燒友們提供新靈感。
隨著充電器六級能效標準的實施臨近,其方案需求日益迫切,很多充電器工程師反映QR架構方案雖然效率餘量更大,但對比PSR方案的元件更多,調試生產更複雜。故提供QR架構PN836X產品方案之外,基於PN8358開發了一款更高性價比的六級能效7.5W充電器方案,比QR架構更簡潔更經濟,提供給國內成本壓力大的充電器廠商一個六級能效新選擇。
基於PN8358的 5V 1.5A六級能效PSR電源解決方案,典型應用為智能手機、平板電腦的5V1.5A充電器,機頂盒、DVD的7.5W適配器。
PN8358有如下特點:
● 待機功耗小於75mW:內置專利高壓啟動模塊,節省高壓啟動電阻,
● 效率滿足DOE Level 6:智能多重工作模式顯著提高平均效率,
● CV、CC精度5%以內:內置輸入電壓、DC輸出線補償,任何工況下均可滿足
● 體積緊湊:集成4.5ohm 650V 智能功率MOS,PSR省光耦/TL431,SOP7封裝
● 保護功能豐富:含過溫保護、VDD欠過壓保護、FB開短路保護、CS開短路保護,電壓和溫升de-rating裕量充足,提高係統可靠性
係統設計要點
係統的典型應用如圖1所示,設計要點羅列如下:

圖1 PN8358 係統典型應用
變壓器飽和設計

變壓器匝比n約束設計
PN8358采用帶前饋補償的開環恒流法:去磁占空比近似為0.5。理論上,恒流可由下式表達:

芯片供電回路設計
PN8358通過脈衝采樣變壓器供電繞組信號,閉環控製調節輸出電壓:

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PCB布線
為改善EMC性能,提高係統抗surge、ESD能力,PCB布線的三個重要原則:功率回路最短、功率回路與信號回路物理空間上分開、VDD電容貼近芯片供電腳。
性能評估

圖2 5V1.5A Demo外觀(33mm*53mm)
5V1.5A Demo外觀如圖2所示,關鍵性能測試結果如下:
待機功耗
平均效率
備注:115/230Vac效率滿足76.65%限製,效率測試為PCB板端USB口(不帶線充電器)。
係統溫升

備注:測試在40度密閉環境下進行。
係統ESD

備注:測試條件是230Vac輸入電壓、滿負載、輸入為2Pin電源線、輸出線1.5m的24 AWG。
傳導&輻射

備注:測試條件是230Vac輸入電壓、滿負載、輸入為2Pin電源線、輸出線1.5m的24 AWG。
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