本文中，我們把圖1所示模型的瞬態響應與圖3所示公開刊發的安全工作區域（SOA 曲線）部分進行了對比。


根據CSD17312Q5 MOSFET
、引線框以及貼裝MOSFET的印製電路板(PWB)的物理屬性
，估算得到圖1的各個值。在查看模型時，可以確定幾個重要的點。PWB到環境電阻（105oC/W）為到環境的最低電阻通路

，其設定了電路的允許DC損耗。將溫升限製在100oC
，可將電路的允許DC損耗設定為1瓦。其次
，存在一個10秒鍾的PWB相xiang關guan時shi間jian恒heng量liang，所suo以yi其qi使shi電dian路lu板ban完wan全quan發fa熱re的de時shi間jian相xiang當dang長chang。因yin此ci，電dian路lu可ke以yi承cheng受shou更geng大da的de電dian脈mai衝chong。例li如ru，在zai一yi次ci短duan促cu的de脈mai衝chong期qi間jian，所suo有you熱re能neng對dui芯xin片pian熱re容rong充chong電dian，同tong時shi在zai更geng小xiao程cheng度du上shang引yin線xian框kuang對dui熱re容rong充chong電dian。通tong過guo假jia設she所suo有you能neng量liang都dou存cun儲chu於yu裸luo片pian電dian容rong中zhong並bing求qiu解jie方fang程cheng式shi(dV = I * dt / C)得到 I，我們可以估算出芯片電容器可以存儲多少能量。結果是
，I =dV * C /dt = 100 oC * 0.013F / 1ms =1300瓦，其與圖3的SOA曲線圖相一致。

圖2顯示了圖1的仿真結果以及由此產生的電壓響應。其功耗為80瓦，不同的時間恒量一眼便能看出。綠色曲線為裸片溫度，其迅速到達一個PWB相關恒定電壓（藍色曲線）。您還可以看到一個引線框的第二時間恒量（紅色曲線），其稍微有一些滯後。最後，您還可以看見PWB的近似線性充電，因為大多數熱能（電流）都流入其散熱電容。


我們進行了一係列的仿真，旨在驗證模型的準確性。圖3顯示了這些仿真的結果。紅色標注表示每次仿真的結果。將一個固定電源（電流）放入電路中
，相應間隔以後對裸片電壓（溫升）進行測量。模型始終匹配SOA曲線。這樣做的重要性是，您可以使用該模型的同時使用不同的散熱片和PWB參數。例如，該 SOA 數據是針對缺乏強散熱能力的最小尺寸PWB。我們可以增加電路板尺寸來降低其環境熱阻
，或者增加銅使用量來提供更好的熱傳播—最終降低溫度。增加銅使用量也可以提高散熱能力。