驅動控製電路拓撲
   
圖1中
，V8為振蕩電路產生的振蕩脈衝，其占空比為50％，由該脈衝決定開關器件的工作頻率。V1為原邊電流采樣電阻上的壓降

，V2為輸出電壓的反饋值，V3是用於驅動開關管的信號。V2經過PI調節器進行誤差放大後輸入到比較器的反向端，與輸入到比較器同向端的經過誤差放大後的V1值進行比較
，從而決定V3的脈寬大小。邏輯電路產生的信號經過輸出級後用來驅動MOSFET的開通和關斷，該信號（V3）的占空比與輸出電壓的反饋值V2成反比，實現電壓反饋式的控製環，同時
，該信號的占空比還與輸入的直流電壓值成反比，以實現電路的前饋控製。V3信號由經過放大後的原邊電流的采樣電阻上的電壓值和經過PI調節器的輸出電壓的反饋值共同來控製。圖2為各個反饋信號的誤差放大值、振蕩脈衝V8以及MOSFET的驅動信號V3波形。圖2中1）為振蕩脈衝V8的波形，2）為驅動信號V3的波形，3）、4）為電壓反饋和電流反饋值經過誤差放大後的波形（V2和V1的波形）。

圖1：PWM邏輯電路及輸出電路   

由圖2可知，當反饋電流的誤差放大值V1大於反饋電壓的誤差值V2時，比較器就輸出高電平，驅動信號變成低電平
，使MOSFET管關斷，直到下一個振蕩脈衝到來，MOSFET管才開通，因而可以看出，該電路采用的是電流的峰值控製。

圖2 ：PWM波形圖  

圖3為啟動電路圖。

圖3 ：啟動電路圖

該啟動電路由雙極性晶體管Q1，穩壓二極管D1,D3和二極管D2以及電容C1構成。在電路啟動的初期，輸入的直流電源通過雙極性晶體管Q1給電容C1充電
，使電路開始工作。等到反饋的電壓值Feedback比電路中的穩壓二極管D1的穩壓值大時，雙極性晶體管Q1被關斷，該電路停止工作。PWM比較器的工作電壓由Feedbackxinhaotigong。zhezhongdianludeyoudianshikeyiyouxiaodijianxiaosunhao，erhenduoguowaichanpindeqidongdianlushiyoudadianzuhedianronggoucheng
，yinerzaidianzushangjianghuiyouyidingdesunhao。
   
在圖1的de驅qu動dong控kong製zhi電dian路lu中zhong，我wo們men還hai可ke以yi看kan到dao，該gai電dian路lu有you逐zhu周zhou電dian流liu檢jian測ce功gong能neng。逐zhu周zhou的de峰feng值zhi漏lou極ji電dian流liu限xian製zhi電dian路lu以yi原yuan邊bian電dian流liu的de采cai樣yang電dian阻zu作zuo為wei檢jian測ce電dian阻zu。器qi件jian內nei部bu的dePI調節器的輸出值設有＋5V的電壓限製

，而采樣電阻上的電壓值放大5倍後與PI調節器的輸出值進行比較，故設計電路時就可以精確地計算出電流峰值，通過選定采樣電阻值和原副邊的匝數比來進行電流限製。當MOSFET的漏極電流太大使采樣電阻上的壓降放大後超過＋5V的閾值時，MOSFET就會被關斷
，直到下一個時鍾周期開始。

動態性能試驗
   
1）負載變化時輸出電壓的動態特性
   
當負載變化時，輸出電壓也在瞬間變化，然後反饋到控製引腳，器件內部的控製電路就會做出相應的調整，改變MOSFET器件開關的占空比，以實現輸出電壓穩定的目的。
   
圖4（a）shifuzaibianxiaoshishuchudianyaboxingdebianhuaqingkuang。fuzaibianxiao
，shuchudianyabianda
，daozhidianyafankuidewuchafangdazhibianxiao，maikuantiaozhiqideshuchuboxingdezhankongbibianxiao，shishuchudianyabianxiao，zuizhongshishuchudianyaquxiangyuwendingzhi。cishi，shuchudianyadefankuizhiwei＋5V。
   
圖4（b）是負載變大時的輸出電壓波形。同理，可以分析出輸出電壓的變化過程。

圖4：負載變化時輸出電壓的動態特性圖 

在同一個輸入電壓不同負載情況下MOSFET器件的uDS的波形如圖5所示。

圖5：負載變化時開關管的uds波形

圖5上半部分是負載為40Ω時的波形
，圖5下半部分是負載為30Ω時的波形。由圖5可知，在不同負載下，MOSFET器件開關的占空比是不相同的，負載大則MOSFET器件的導通時間長。
   
2）輸入電壓變化時輸出電壓的動態特性
   
當(dang)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)時(shi)，輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)也(ye)會(hui)在(zai)瞬(shun)間(jian)隨(sui)著(zhe)發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)，由(you)於(yu)輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)的(de)變(bian)化(hua)直(zhi)接(jie)導(dao)致(zhi)輸(shu)入(ru)電(dian)流(liu)的(de)變(bian)化(hua)
，在(zai)電(dian)流(liu)采(cai)樣(yang)電(dian)阻(zu)上(shang)的(de)壓(ya)降(jiang)的(de)上(shang)升(sheng)斜(xie)率(lv)隨(sui)著(zhe)變(bian)化(hua)，可(ke)以(yi)直(zhi)接(jie)導(dao)致(zhi)輸(shu)出(chu)占(zhan)空(kong)比(bi)的(de)改(gai)變(bian)，同(tong)時(shi)
，輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)的(de)反(fan)饋(kui)環(huan)節(jie)同(tong)樣(yang)起(qi)著(zhe)調(tiao)節(jie)作(zuo)用(yong)。圖(tu)6為輸入電壓變化時輸出電壓的變化情況。
   
圖6（a）為輸入電壓由200V減小到150V時的輸出電壓的波形。從圖中可以看出，經過短暫的時間調整後
，輸出電壓重新趨向於穩定值，並且輸出電壓的變化非常小。
   
圖6（b）為輸入電壓由150V變到200V時的輸出電壓波形。

圖6 ：輸入電壓變化時輸出電壓的動態特性

本(ben)文(wen)在(zai)給(gei)出(chu)反(fan)激(ji)電(dian)路(lu)拓(tuo)撲(pu)的(de)基(ji)礎(chu)上(shang)，通(tong)過(guo)實(shi)際(ji)的(de)分(fen)立(li)元(yuan)器(qi)件(jian)搭(da)構(gou)實(shi)現(xian)該(gai)拓(tuo)撲(pu)。給(gei)出(chu)多(duo)組(zu)試(shi)驗(yan)波(bo)形(xing)
，以(yi)此(ci)分(fen)析(xi)了(le)驅(qu)動(dong)控(kong)製(zhi)電(dian)路(lu)的(de)特(te)點(dian)以(yi)及(ji)工(gong)作(zuo)性(xing)能(neng)。試(shi)驗(yan)證(zheng)明(ming)，這(zhe)種(zhong)電(dian)路(lu)控(kong)製(zhi)方(fang)法(fa)簡(jian)潔(jie)，性(xing)能(neng)優(you)良(liang)。該(gai)電(dian)路(lu)不(bu)僅(jin)可(ke)以(yi)應(ying)用(yong)於(yu)反(fan)激(ji)式(shi)電(dian)路(lu)

，也(ye)可(ke)以(yi)應(ying)用(yong)於(yu)正(zheng)激(ji)式(shi)和(he)其(qi)它(ta)DC/DC電路中。由於所有元器件由分立元器件搭構
，這就為將來的集成化，以至最終研製芯片提供了基礎，驗證了可行性。