可取代效能較低器件同時節省數量的功率MOSFET係列
發布時間:2012-12-05 責任編輯:abbywang
【導讀】IR 推出StrongIRFET功率MOSFET係(xi)列(lie),適(shi)合(he)要(yao)求(qiu)超(chao)低(di)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)的(de)工(gong)業(ye)應(ying)用(yong)。新(xin)器(qi)件(jian)除(chu)了(le)具(ju)備(bei)超(chao)低(di)的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu),其(qi)高(gao)電(dian)流(liu)額(e)定(ding)值(zhi)更(geng)有(you)助(zhu)於(yu)提(ti)升(sheng)係(xi)統(tong)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。若(ruo)用(yong)其(qi)取(qu)代(dai)效(xiao)能(neng)較(jiao)低(di)的(de)器(qi)件(jian),更(geng)可(ke)節(jie)省(sheng)器(qi)件(jian)數(shu)量(liang)。
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出具有超低導通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET係列,適合各種工業應用,包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽能逆變器、叉車、電動工具、代步車,以及ORing和熱插拔應用等。

圖題:IR 推出StrongIRFET功率MOSFET係列
這些新器件除了具備超低的導通電阻,其高電流額定值更有助於提升係統的可靠性。若用其取代效能較低的器件,更可節省器件數量。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“StrongIRFET係列為工業市場提供多種符合基準效能的MOSFET。此外,其不同種類的封裝讓設計師為具體應用靈活選擇最理想的器件。”
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