MPD係列IGBT模塊的產品特性：

• 搭載第6代IGBT芯片，有助電力轉換設備小型化和高效化
• 確保與現有機型互相兼容，可更換

MPD係列IGBT模塊的應用範圍：

• 兆瓦級太陽能發電係統和風力發電係統的功率調節器等電力轉換設備

為wei實shi現xian低di碳tan社she會hui
，有you效xiao利li用yong可ke再zai生sheng能neng源yuan的de太tai陽yang能neng發fa電dian和he風feng力li發fa電dian等deng兆zhao瓦wa級ji大da規gui模mo發fa電dian係xi統tong的de建jian設she正zheng在zai不bu斷duan增zeng加jia，對dui功gong率lv調tiao節jie器qi等deng電dian力li轉zhuan換huan設she備bei的de小xiao型xing化hua和he高gao效xiao化hua要yao求qiu也ye日ri益yi提ti高gao。如ru果guo你ni想xiang要yao實shi現xian發fa電dian係xi統tong進jin一yi步bu小xiao型xing化hua
、高效化，一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD係列IGBT模塊”。

三菱電機株式會社定於5月31日開始發售MPD係列※1IGBT模塊的3種新產品，這些產品搭載了第6代IGBT※2  芯片，用於兆瓦級太陽能發電係統和風力發電係統的功率調節器等電力轉換設備。

本產品在2012年的PCIM Europe展 (5月8～10日在德國紐倫堡舉行)上展出。
※1  Mega Power Dual：大容量雙元件功率模塊
※2  Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管
                
MPD係列IGBT模塊新產品的特點

1．搭載第6代IGBT芯片，有助電力轉換設備小型化和高效化

• 采用第6代CSTBT※3
  ，集電極與發射極之間的飽和電壓比以前第5代※4降低約15%
• 柵電容比以前※4降低約30～50％
• 最高結溫為175℃，比以前※4提高25℃,有助電力轉換設備小型化

      ※3  Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：載流子存儲式絕緣柵雙極性晶體管
      ※4  第5世代IGBT模塊「CM900DUC-24NF」「CM1400DUC-24NF」「CM1000DUC-34NF」

2．確保與現有機型互相兼容，可更換

• 在外形、端子排列等方麵
  ，確保與之前第5代※4互相兼容
• 絕緣耐壓為4000V
  ，比以前※4提高14％～60％

MPD係列IGBT模塊的環保考慮
符合歐盟成員國限製6種特定有害物質的RoHS※5指令。
※5  Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

MPD係列IGBT模塊的發售概要
            

MPD係列IGBT模塊的銷售目標

為wei實shi現xian低di碳tan社she會hui，有you效xiao利li用yong可ke再zai生sheng能neng源yuan的de太tai陽yang能neng發fa電dian和he風feng力li發fa電dian等deng兆zhao瓦wa級ji大da規gui模mo發fa電dian係xi統tong的de建jian設she正zheng在zai不bu斷duan增zeng加jia，這zhe同tong時shi也ye對dui功gong率lv調tiao節jie器qi等deng電dian力li轉zhuan換huan設she備bei的de小xiao型xing化hua和he高gao效xiao化hua提ti出chu更geng高gao要yao求qiu。

2002年
，作為處理兆瓦級電力的IGBT模塊，本公司推出了以耐壓1200V、額定電流容量900A產品為首的3種MPD係列機型。本次，為滿足發電係統進一步小型化、高效化的需求，本公司推出搭載第6代IGBT芯片的3種MPD係列新機型。

此外，該新產品不僅有助發電係統小型化和高效化
，對工業機器的大容量變壓器和不間斷電源設備(UPS)等的小型化和高效化也有幫助。

MPD係列IGBT模塊的主要規格
 

商標 ：CSTBTTM是三菱電機株式會社的注冊商標。

製作工廠：三菱電機株式會社　功率器件製作所  
〒819-0192　福岡縣福岡市西區今宿東一丁目1番1號