產品特性：

• 電壓範圍從40V至200V
• 符合AEC-Q101標準
  ，材料環保不含鉛
• 在5000次溫度循環時的最大導通電阻變化不到10%

應用範圍：

• 電動助力轉向係統、集成式起動發電機泵和電機控製
• 內燃機和混合動力汽車平台上的其它重載應用

IR近日推出車用MOSFET係列
，可為一係列應用提供基準導通電阻(Rds(on)) ，包括電動助力轉向係統 (EPS) 、集成式起動發電機(ISA)泵和電機控製，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平台上的其它重載應用。

全新溝道HEXFET功率MOSFET係列采用多款表麵貼裝器件(SMD)封裝
，電壓範圍從40V至200V。標準和邏輯電平柵級驅動MOSFET都為IR車用塑料封裝MOSFET產品係列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在40V下最大為1.25毫歐，60V下最大為2.1毫歐
，75V下為2.6毫歐，100V下為4.0毫歐。在D2Pak-7P封裝中許多器件的最大額定電流達240A。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR全新車用溝道MOSFET係列可在下一代汽車應用，包括集成式起動發電機和電動助力轉向係統應用中實現基準性能。”

所有IR車用MOSFET產品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念

，並經過了動態和靜態器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標準要求器件在經過1, 000次溫度循環測試後
，導通電阻變化幅度不能超過20%。然而，經過延長測試後

，IR的新款AU物料單在5,000次溫度循環時的最大導通電阻變化不到10%
，體現了該物料單的高強度和耐用性。

新器件符合AEC-Q101標準
，所采用的材料環保，不含鉛，也符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。