在圖1中
， Q1 和Q3被指定為高壓側IGBT，Q2 和Q4 則是低壓側 IGBT。 該(gai)逆(ni)變(bian)器(qi)用(yong)於(yu)在(zai)其(qi)目(mu)標(biao)市(shi)場(chang)的(de)頻(pin)率(lv)和(he)電(dian)壓(ya)條(tiao)件(jian)下(xia)，產(chan)生(sheng)單(dan)相(xiang)位(wei)正(zheng)弦(xian)電(dian)壓(ya)波(bo)形(xing)。有(you)些(xie)逆(ni)變(bian)器(qi)用(yong)於(yu)連(lian)接(jie)淨(jing)計(ji)量(liang)效(xiao)益(yi)電(dian)網(wang)的(de)住(zhu)宅(zhai)安(an)裝(zhuang)
，這(zhe)就(jiu)是(shi)其(qi)中(zhong)一(yi)個(ge)目(mu)標(biao)應(ying)用(yong)市(shi)場(chang)，此(ci)項(xiang)應(ying)用(yong)要(yao)求(qiu)逆(ni)變(bian)器(qi)提(ti)供(gong)低(di)諧(xie)波(bo)交(jiao)流(liu)正(zheng)弦(xian)電(dian)壓(ya)，讓(rang)電(dian)力(li)可(ke)注(zhu)入(ru)電(dian)網(wang)中(zhong)。

為滿足這個要求
，IGBT可在20kHz或以上頻率的情況下
，對50Hz或60Hz的頻率進行脈寬調製，因此輸出電感器L1和L2便bian可ke以yi保bao持chi合he理li的de小xiao巧qiao體ti積ji，並bing能neng有you效xiao抑yi製zhi諧xie波bo。此ci外wai，由you於yu其qi轉zhuan換huan頻pin率lv高gao出chu人ren類lei的de正zheng常chang聽ting覺jiao頻pin譜pu
，因yin此ci該gai設she計ji也ye可ke盡jin量liang減jian少shao逆ni變bian器qi產chan生sheng的de可ke聽ting噪zao聲sheng。

脈寬調製這些IGBT的最佳方法是什麼？怎樣才能把功耗降到最低呢
？方法之一是僅對高壓側IGBT進行脈寬調製
，對應的低壓側IGBT以50Hz或60Hz換相。圖2所示為一個典型的柵壓信號。當Q1 正進行脈寬調製時，Q4維持正半周期操作。Q2和Q3在正半周期保持關斷 。到了負半周期，當Q3進行脈寬調製時，Q2保持開啟狀態。Q1和Q4會在負半周期關斷。圖2 也顯示了通過輸出濾波電容器C1的AC正弦電壓波形。

 

此變換技術具有以下優點：
(1)電流不會在高壓側反並二極管上自由流動，因此可把不必要的損耗低至最低。
(2)低壓側IGBT隻會在50Hz或60Hz工頻進行切換

，主要是導通損耗。
(3)由於同一相上的IGBT絕對不會以互補的方式進行轉換，所以不可能出現總線短路擊穿情況。
(4)可優化低壓側IGBT的反並聯二極管
，以盡量減低續流和反向恢複導致的損耗。

1.IGBT技術
IGBT基本上是具備金屬門氧化物門結構的雙極型晶體管 (BJT) 。這種設計讓IGBT的柵極可以像MOSFET一樣，以電壓代替電流來控製開關。作為一種BJT，IGBT的電流處理能力比MOSFET更高。同時，IGBT亦如BJT一樣是一種少數載體元件。這意味著IGBT關閉的速度是由少數載體複合的速度快慢來決定。此外
，IGBT的關閉時間與它的集極-射極飽和電壓 (Vce(on)) 成反比(如圖3所示)。

 

以圖3為例
，若IGBT擁有相同的體積和技術
，一個超速IGBT比一個標準速度的IGBT擁有更高的Vce(on) 。然而，超速IGBT的關閉速度卻比標準IGBT快得多。圖3反映的這種關係，是通過控製IGBT的少數載體複合率的使用周期以影響關閉時間來實現的。

表1顯示了四個擁有相同尺寸的IGBT的參數值。前三個IGBT采用同樣的平麵式技術，但使用不同的壽命複合控製計量。從表中可見
，標準速度的IGBT具有最低Vce(on) ，但與快速和超速平麵式IGBT相比
，標準速度的IGBT下降時間最慢。第四個IGBT是經優化的槽柵IGBT，能夠為太陽能逆變器這類高頻率切換應用提供低導通和開關損耗。請注意，槽柵IGBT的Vce(on) 和總切換損耗 (Ets) 比超速平麵式IGBT低。

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2.高壓側IGBT
前文討論了高壓側 IGBT在20kHz或以上頻率進行切換。假設設計一個擁有230V交流輸出的1.5kW 太陽能逆變器
，表1中哪種IGBT具有最低的功耗呢
？圖4顯示了IGBT在20kHz進行切換的功耗分析，由此可見超速平麵式IGBT比其它兩種平麵式IGBT具有更低的總功耗。

 

在20kHz下

，開關損耗明顯成為總功耗的重要部分。同時，標準速度IGBT的導通損耗雖然最低
，但其開關損耗卻最大，並不適合充當高壓側IGBT。

最新的600V 槽柵IGBT 專為20kHz的切換進行了優化。如圖五所示，這種IGBT比以往的平麵式IGBT提供較低的總功耗。因此，為了讓太陽能逆變器的設計能夠達到最高效率，槽柵IGBT是高壓側IGBT的首選元件。

3.低壓側IGBT
低壓側IGBT同樣有同一問題。究竟哪一種IGBT才能提供最低的功耗？由於這些IGBT隻會進行50Hz或60Hz切換，如圖5所示，標準速度IGBT可提供最低的功耗。雖然標準IGBT會帶來一些開關損耗，但數值並不足以影響IGBT的總功耗。事實上
，最新的槽柵IGBT仍然擁有較高的功耗

，因為這一代的槽柵IGBT專門針對高頻率應用而設計，以平衡開關和導通損耗為目標。因此
，對低壓側IGBT來說，標準速度平麵式IGBT仍然是必然選擇。
 

 

本文小結
本文分析了太陽能逆變器應用的全橋拓撲。這種拓撲利用正弦脈寬調製技術


，在高於20kHz情況下

，為高壓側IGBT 進行轉換。支線的低壓側IGBT決於輸出頻率要求，在50Hz或60Hz進行轉換。若挑選最新的600V槽柵IGBT，其總功耗將會在20kHz下達到最低。在低壓側IGBT方麵，標準速度平麵式IGBT是最佳選擇。標準速度IGBT在50Hz或60Hz下擁有最低的導通損耗，其開關損耗對整體功耗來說微不足道。因此
，工程師隻要正確選擇IGBT組合， 就能將太陽能逆變器應用的功耗降至最低。