產品特性：

• 總閘電荷分別降低了高達59%和33%
• 達到工業級別及第一級濕度感應度
• 采用TO220、D2PAK
  、TO262
  、DPAK和IPAK封裝

• 開關模式電源
  、不斷電係統、反相器和DC馬達驅動器等

日前，國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一係列150V和200V HEXFET功率MOSFET
，為開關模式電源 （SMPS） 、不斷電係統 （UPS）、反相器和DC馬達驅動器等工業應用提供極低的閘電荷 （Qg）。

與其它競爭器件相比
，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至於新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功(gong)率(lv)轉(zhuan)換(huan)應(ying)用(yong)技(ji)術(shu)的(de)日(ri)益(yi)進(jin)步(bu)，開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)也(ye)有(you)所(suo)提(ti)高(gao)，輸(shu)入(ru)電(dian)容(rong)和(he)閘(zha)電(dian)荷(he)在(zai)整(zheng)體(ti)效(xiao)率(lv)方(fang)麵(mian)擔(dan)當(dang)起(qi)重(zhong)要(yao)的(de)角(jiao)色(se)。開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)的(de)多(duo)少(shao)對(dui)快(kuai)速(su)開(kai)關(guan)電(dian)路(lu)來(lai)說(shuo)是(shi)關(guan)鍵(jian)的(de)問(wen)題(ti)。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰做出了優化，所以非常適合作為通信應用中隔離式DC-DC轉換器的主要開關
，或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。”

這些新款MOSFET達到工業級別及第一級濕度感應度 （MSL1） 。它們采用TO220
、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝
，皆為無鉛設計，並符合電子產品有害物質管製規定 （RoHS） 指令。

產品的基本規格：