產品特性：

• 專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術
• 出色的低RDS(ON)
  、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)
• FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm，低側則為9.5mOhm

市場數據：

• 筆記本電腦
  、上網本、服務器
  、電信和其它 DC-DC 設計

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經優化的控製 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術，提供出色的低RDS(ON)
、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地減少傳導和開關損耗，帶來更高效率。FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm，低側則為9.5mOhm，可提供9A以上電流供主流計算應用，而經優化的引腳輸出和占位麵積，為布局和路由帶來便利，並簡化設計。
 
 FDMC8200通過先進的封裝技術和專有PowerTrench 7工藝，節省空間並提升熱性能，解決DC-DC應用的主要設計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

 這款雙MOSFET器件是飛兆半導體廣泛的先進MOSFET技(ji)術(shu)產(chan)品(pin)係(xi)列(lie)的(de)一(yi)部(bu)分(fen)
，全(quan)係(xi)列(lie)均(jun)擁(yong)有(you)廣(guang)闊(kuo)的(de)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya)範(fan)圍(wei)和(he)現(xian)代(dai)化(hua)的(de)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)，實(shi)現(xian)高(gao)效(xiao)的(de)功(gong)率(lv)管(guan)理(li)和(he)低(di)熱(re)阻(zu)的(de)特(te)點(dian)。同(tong)係(xi)列(lie)其(qi)它(ta)產(chan)品(pin)包(bao)括(kuo)集(ji)成(cheng)了(le)FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件
，同樣能夠顯著減少電路板空間，並提升同步降壓設計以達到更高的轉換效率。