產品特性：

• 導通電阻降低至52mΩcm2
• 采用了名為“Natural Super Junction”的新半導體連接技術
• 通過控製電極間隔便成功地提高耐壓為9.4kV
• 良好的電氣連接性能

應用範圍：

• 消費類電器
• 電氣設備等廣泛領域 

鬆下電器試製出使用GaN半導體、耐壓為9.4kV，導通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產品的導通電阻為1000mΩcm2。設想用於工作電壓從數百伏消費類電器和數kV產業電氣設備等廣泛領域。

新產品之所以同時實現了高耐壓和低導通電阻
，是因為采用了名為“Natural Super Junction”的新半導體連接技術。通過連接多個成分不同的GaN半導體
，收到了與矽MOSFET上使用的“超級結構造”相同的效果。而以往GaN半導體的p型層和n型層的雜質濃度以及膜厚的控製需要較高的精度，因此難以使用超級結構造。

gaierjiguancaiyongxinjiegou
，jintongguokongzhidianjijiangebianchenggongditigaolenaiya。weijiangdidaotongdianzu，zengjialezuoweigoudaodeerweidianziqiticengshu。bingqieliyongaoxianjiegoushigoudaobaolu，zaibaoludequyuxingchengdianji，shiquanbugoudaocenghuodelianghaodedianqilianjiexingneng。youciershixianlenaiya9.4kV，導通電阻52mΩcm2。