STC03DE220HV:意法半導體用於三相電源的低功耗ESBT開關
發布時間:2008-05-21
產品特性:
- 額定擊穿電壓2200V,8.9mm的爬電距離

- 頻率高達150kHz,最大額定電流3A
- 集電極到源極僅0.33 歐姆的等效導通電阻
- 柵驅動設計簡易
應用範圍:
- 商用電表
- 感應電機逆變器
- 電焊設備
- 不間斷電源(UPS)
意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT(發射極開關雙極晶體管)功率開關,新產品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關電源的能效,降低產品的成本、組件數量和尺寸。
STC03DE220HV是額定擊穿電壓2200V的ST ESBT新係列的首款產品。在電源電壓90V AC到690V AC的通用輸入轉換器中,新產品讓設計工程師采用單功率開關的反激式拓撲。使用一個通用的硬件平台,再配合適合的控製器如L6565,ST完整的ESBT產品讓設計工程師能夠開發最大功率達到250W的準諧振轉換器。
高效開關頻率高達150kHz,最大額定電流3A,STC03DE220HV可用於各種輔助開關電源,包括商用電表、感應電機逆變器、電焊設備和不間斷電源(UPS)。強化的TO247-4L封裝是新產品的另一個亮點,8.9mm的爬電距離超出了IEC664-1在最大2200V工作電壓下的絕緣要求。
集通態損耗低、來自傳統MOSFET的開關頻率高、柵驅動設計簡易等三大優點於一身,STC03DE220HV利用ESBT技術優化了標準雙極晶體管和高壓MOSFET。從集電極到源極,STC03DE220HV達到了0.33 歐姆的等效導通電阻,同時還實現了150kHz 的最大開關頻率,如此高的工作頻率允許設計使用尺寸更小的濾波器。此外,整個裸片尺寸小於同級別電壓的高壓MOSFET*,產品本身就實現了節省成本的目的。ESBT的正方形安全工作區(SOA)還有助於簡化電源設計,確保電源在各種環境中都有可靠的性能表現。
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