新聞事件：

• 首爾半導體公布其對InGaN係LED專利的立場

事件影響：

• 美國專利 5,075,742（以下簡稱“742專利”）包含了在日本、德國、英國
  、法國的專利家族
• 對於侵犯專利的企業，首爾半導體有權使其停止銷售、使用並對給首爾半導體造成的損失予以賠償

首爾半導體日前宣布，美國得克薩斯法院經審議決定，活性層使用 InGaN 的 LED 在銦的結構特性方麵屬於首爾半導體的專利。InGaN 是組成白
、藍、綠色和紫外光 LED 活躍層的必要物質。作為上述美國得克薩斯法院審判對象的美國專利 5,075,742（以下簡稱“742專利”）包含了在日本
、德國

、英國、法國的專利家族。

首shou爾er半ban導dao體ti業ye務wu合he作zuo夥huo伴ban可ke使shi用yong這zhe一yi專zhuan利li。有you關guan企qi業ye可ke以yi與yu首shou爾er半ban導dao體ti簽qian訂ding戰zhan略lve協xie議yi來lai得de到dao專zhuan利li許xu可ke。首shou爾er半ban導dao體ti已yi跟gen美mei國guo和he日ri本ben的de三san家jia企qi業ye簽qian訂ding了le專zhuan利li許xu可ke協xie議yi。對dui於yu侵qin犯fan專zhuan利li的de企qi業ye，首shou爾er半ban導dao體ti有you權quan使shi其qi停ting止zhi銷xiao售shou
、使用並對給首爾半導體造成的損失予以賠償。

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