正弦半波脈衝電流的產生

二極管的規格繁多，常見的額定通態電流從數百毫安到數百安培甚至更高，IFSM測試需要的峰值脈衝電流要求達到數十倍的額定通態電流值。標準的測試方法是采用大容量工頻變壓器
，截取市電交流波形來產生時間常數為10ms

、導通角為0°～180°的正弦半波脈衝，如圖1。


用(yong)這(zhe)種(zhong)方(fang)法(fa)產(chan)生(sheng)幾(ji)百(bai)上(shang)千(qian)安(an)培(pei)的(de)正(zheng)弦(xian)脈(mai)衝(chong)電(dian)流(liu)，所(suo)用(yong)到(dao)的(de)變(bian)壓(ya)器(qi)體(ti)積(ji)重(zhong)量(liang)都(dou)非(fei)常(chang)可(ke)觀(guan)，安(an)裝(zhuang)與(yu)使(shi)用(yong)十(shi)分(fen)不(bu)便(bian)。一(yi)些(xie)國(guo)外(wai)公(gong)司(si)的(de)產(chan)品(pin)對(dui)浪(lang)湧(yong)衝(chong)擊(ji)電(dian)流(liu)波(bo)形(xing)有(you)特(te)殊(shu)要(yao)求(qiu)，比(bi)如(ru)要(yao)求(qiu)在(zai)正(zheng)向(xiang)整(zheng)流(liu)電(dian)流(liu)的(de)基(ji)礎(chu)上(shang)再(zai)加(jia)一(yi)個(ge)時(shi)間(jian)常(chang)數(shu)為(wei)10ms或8.3ms、導通角為0°～180°的正弦半波脈衝電流
，或者要求施加連續兩個時間常數為10ms或8.3ms
、導通角為0°～180°的正弦半波脈衝電流等。顯然再采用市電截取的方法，已經很難滿足不同器件的測試要求了。

設計思路

大功率場效應管晶體管是一類標準的電壓控製電流器件
，在VDMOS管的線性工作區內，漏極電流受柵極電壓控製：IDS=GFS*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形，在漏極就會輸出相應的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用於實現所需的浪湧電流波形
，電路形式如圖2所示。


運放組成基本的反向運算電路，驅動VDMOS管的柵極
，漏源電流通過VDMOS管源極取樣電阻
，加到運放反向輸入端
，與輸入波形相加形成反饋，運放輸出電壓控製VDMOS管的柵極電壓VGS，進而控製漏極輸出電流IDS。這個IDS就是施加給待測二極管（DUT）的正向浪湧電流。

單隻VDMOS管(guan)的(de)功(gong)率(lv)和(he)電(dian)流(liu)放(fang)大(da)能(neng)力(li)是(shi)有(you)限(xian)的(de)，無(wu)法(fa)達(da)到(dao)上(shang)千(qian)安(an)培(pei)的(de)輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)能(neng)力(li)
，采(cai)用(yong)多(duo)隻(zhi)並(bing)聯(lian)的(de)方(fang)式(shi)可(ke)以(yi)解(jie)決(jue)這(zhe)個(ge)問(wen)題(ti)
，以(yi)達(da)到(dao)所(suo)需(xu)要(yao)的(de)峰(feng)值(zhi)電(dian)流(liu)。常(chang)見(jian)的(de)連(lian)接(jie)方(fang)法(fa)如(ru)圖(tu)3所示。


benceshifangancaiyonglechengshudedianlukongzhijishu，jianjieeryouxiaodishixianlegezhonglangyongchongjiceshideyaoqiu。shiyongdedoushichangguiyidedeyuanqijian，zujiandezhuangzhitijixiaozhongliangqing，keyihenfangbiandianzhuangzaiputongyiqixiangzhong
，chengweiyijianbiaozhunceshiyiqi。juyoushiyonglinghuo、易操作
，測試精準度高，安全可靠等特點。

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