LED芯xin片pian製zhi造zao主zhu要yao是shi為wei了le製zhi造zao有you效xiao可ke靠kao的de低di歐ou姆mu接jie觸chu電dian極ji，並bing能neng滿man足zu可ke接jie觸chu材cai料liao之zhi間jian最zui小xiao的de壓ya降jiang及ji提ti供gong焊han線xian的de壓ya墊dian，同tong時shi盡jin可ke能neng多duo地di出chu光guang。渡du膜mo工gong藝yi一yi般ban用yong真zhen空kong蒸zheng鍍du方fang法fa，其qi主zhu要yao在zai1.33×10?4Pa高真空下
，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化
，並在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表麵。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe
、AuZn等合金

，N麵的接觸金屬常采用AuGeNi合(he)金(jin)。鍍(du)膜(mo)後(hou)形(xing)成(cheng)的(de)合(he)金(jin)層(ceng)還(hai)需(xu)要(yao)通(tong)過(guo)光(guang)刻(ke)工(gong)藝(yi)將(jiang)發(fa)光(guang)區(qu)盡(jin)可(ke)能(neng)多(duo)地(di)露(lu)出(chu)來(lai)，使(shi)留(liu)下(xia)來(lai)的(de)合(he)金(jin)層(ceng)能(neng)滿(man)足(zu)有(you)效(xiao)可(ke)靠(kao)的(de)低(di)歐(ou)姆(mu)接(jie)觸(chu)電(dian)極(ji)及(ji)焊(han)線(xian)壓(ya)墊(dian)的(de)要(yao)求(qiu)。光(guang)刻(ke)工(gong)序(xu)結(jie)束(shu)後(hou)還(hai)要(yao)通(tong)過(guo)合(he)金(jin)化(hua)過(guo)程(cheng)
，合(he)金(jin)化(hua)通(tong)常(chang)是(shi)在(zai)H2或N2的de保bao護hu下xia進jin行xing。合he金jin化hua的de時shi間jian和he溫wen度du通tong常chang是shi根gen據ju半ban導dao體ti材cai料liao特te性xing與yu合he金jin爐lu形xing式shi等deng因yin素su決jue定ding。當dang然ran若ruo是shi藍lan綠lv等deng芯xin片pian電dian極ji工gong藝yi還hai要yao複fu雜za，需xu增zeng加jia鈍dun化hua膜mo生sheng長chang
、等離子刻蝕工藝等。

 

　　

用於白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由於量子效率一般小於20?大部分電能會轉換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，要求芯片有較大的麵積。　

 

　　

一般來說，LED外延生產完成之後她的主要電性能已定型，芯片製造不對其產甞核本性改變，但在鍍膜、合he金jin化hua過guo程cheng中zhong不bu恰qia當dang的de條tiao件jian會hui造zao成cheng一yi些xie電dian參can數shu的de不bu良liang。比bi如ru說shuo合he金jin化hua溫wen度du偏pian低di或huo偏pian高gao都dou會hui造zao成cheng歐ou姆mu接jie觸chu不bu良liang，歐ou姆mu接jie觸chu不bu良liang是shi芯xin片pian製zhi造zao中zhong造zao成cheng正zheng向xiang壓ya降jiangVF偏(pian)高(gao)的(de)主(zhu)要(yao)原(yuan)因(yin)。在(zai)切(qie)割(ge)後(hou)
，如(ru)果(guo)對(dui)芯(xin)片(pian)邊(bian)緣(yuan)進(jin)行(xing)一(yi)些(xie)腐(fu)蝕(shi)工(gong)藝(yi)

，對(dui)改(gai)善(shan)芯(xin)片(pian)的(de)反(fan)向(xiang)漏(lou)電(dian)會(hui)有(you)較(jiao)好(hao)的(de)幫(bang)助(zhu)。這(zhe)是(shi)因(yin)為(wei)用(yong)金(jin)剛(gang)石(shi)砂(sha)輪(lun)刀(dao)片(pian)切(qie)割(ge)後(hou)
，芯(xin)片(pian)邊(bian)緣(yuan)會(hui)殘(can)留(liu)較(jiao)多(duo)的(de)碎(sui)屑(xie)粉(fen)末(mo)
，這(zhe)些(xie)如(ru)果(guo)粘(zhan)在(zai)LED芯片的PN結(jie)處(chu)就(jiu)會(hui)造(zao)成(cheng)漏(lou)電(dian)，甚(shen)至(zhi)會(hui)有(you)擊(ji)穿(chuan)現(xian)象(xiang)。另(ling)外(wai)，如(ru)果(guo)芯(xin)片(pian)表(biao)麵(mian)光(guang)刻(ke)膠(jiao)剝(bo)離(li)不(bu)幹(gan)淨(jing)，將(jiang)會(hui)造(zao)成(cheng)正(zheng)麵(mian)焊(han)線(xian)難(nan)與(yu)虛(xu)焊(han)等(deng)情(qing)況(kuang)。如(ru)果(guo)是(shi)背(bei)麵(mian)也(ye)會(hui)造(zao)成(cheng)壓(ya)降(jiang)偏(pian)高(gao)。在(zai)芯(xin)片(pian)生(sheng)產(chan)過(guo)程(cheng)中(zhong)通(tong)過(guo)表(biao)麵(mian)粗(cu)化(hua)、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強。

　　

　

　　

所謂透明電極一是要能夠導電，二是要能夠透光。這種材料現在最廣泛應用在液晶生產工藝中，其名稱叫氧化銦錫
，英文縮寫ITO，但它不能作為焊墊使用。製作時先要在芯片表麵做好歐姆電極
，然後在表麵覆蓋一層ITO再在ITO表麵鍍一層焊墊。這樣從引線上下來的電流通過ITO層均勻分布到各個歐姆接觸電極上，同時ITO由於折射率處於空氣與外延材料折射率之間，可提高出光角度
，光通量也可增加。　

 

　　

藍光LED通常采用Al2O3襯底
，Al2O3襯底硬度很高、redaolvhediandaolvdi
，ruguocaiyongzhengzhuangjiegou，yifangmianhuidailaifangjingdianwenti，lingyifangmian，zaidadianliuqingkuangxiasanreyehuichengweizuizhuyaodewenti。tongshiyouyuzhengmiandianjichaoshang，huizhediaoyibufenguang
，faguangxiaolvhuijiangdi。dagonglvlanguangLED通過芯片倒裝技術可以比傳統的封裝技術得到更多的有效出光。

　　

現在主流的倒裝結構做法是：首先製備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍光LED芯片，同時製備出比藍光LED芯片略大的矽襯底，並在上麵製作出供共晶焊接的金導電層及引出導線層(超聲金絲球焊點)。然後

，利用共晶焊接設備將大功率藍光LEDxinpianyuguichendihanjiezaiyiqi。zhezhongjiegoudetedianshiwaiyancengzhijieyuguichendijiechu
，guichendiderezuyouyuanyuandiyulanbaoshichendi
，suoyisanredewentihenhaodijiejuele。youyudaozhuanghoulanbaoshichendichaoshang
，chengweichuguangmian，lanbaoshishitoumingde，yincichuguangwentiyededaojiejue。

　　

　　

普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP
、GaAs等化合物半導體材料
，一般都可以做成N型襯底。采用濕法工藝進行光刻，最後用金剛砂輪刀片切割成芯片。GaN材料的藍綠芯片是用的藍寶石襯底，由於藍寶石襯底是絕緣的
，所以不能作為LED的一個極
，必須通過幹法刻蝕的工藝在外延麵上同時製作P/N兩個電極並且還要通過一些鈍化工藝。由於藍寶石很硬，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。它的工藝過程一般要比GaP
、GaAs材料的LED多而複雜。

　　　　

　

隨著半導體LED技術的發展
，其在照明領域的應用也越來越多
，特別是白光LED的出現
，更是成為半導體照明的熱點。但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高，在芯片方麵要朝大功率、高光效和降低熱阻方麵發展。提高功率意味著芯片的使用電流加大
，最直接的辦法是加大芯片尺寸，現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA。由於使用電流的加大，散熱問題成為突出問題，現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。隨著LED技術的發展，其在照明領域的應用會麵臨一個前所未有的機遇和挑戰。

　　

　　

LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據客戶要求可分為單管級、數碼級、dianzhenjiyijizhuangshizhaomingdengleibie。zhiyuxinpiandejutichicundaxiaoshigenjubutongxinpianshengchanchangjiadeshijishengchanshuipingerding，meiyoujutideyaoqiu。zhiyaogongyiguoguan，xinpianxiaoketigaodanweichanchubingjiangdichengben
，guangdianxingnengbingbuhuifashenggenbenbianhua。xinpiandeshiyongdianliushijishangyuliuguoxinpiandedianliumiduyouguan
，xinpianxiaoshiyongdianliuxiao，xinpiandashiyongdianliuda
，tamendedanweidianliumidujibenchabuduo。ruguo10mil芯片的使用電流是20mA的話，那麼40mil芯片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但dan考kao慮lv到dao散san熱re是shi大da電dian流liu下xia的de主zhu要yao問wen題ti，所suo以yi它ta的de發fa光guang效xiao率lv比bi小xiao電dian流liu低di。另ling一yi方fang麵mian，由you於yu麵mian積ji增zeng大da
，芯xin片pian的de體ti電dian阻zu會hui降jiang低di，所suo以yi正zheng向xiang導dao通tong電dian壓ya會hui有you所suo下xia降jiang。

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