看見一個資深工程師自己在本站網站上總結了幾個LED芯片使用過程中經常遇到的問題及如何解決

，分享給大家，請看下文。

1、正向電壓降低，暗光：
　　
A：一種是電極與發光材料為歐姆接觸
，但接觸電阻大，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。
　　
B：一種是電極與材料為非歐姆接觸，主要發生在芯片電極製備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印，分布位置。
　　
另外封裝過程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾汙等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定。
　　
正向壓降低的芯片在固定電壓測試時
，通過芯片的電流小，從而表現暗點，還有一種暗光現象是芯片本身發光效率低
，正向壓降正常。

2
、難壓焊：(主要有打不粘，電極脫落，打穿電極)
　　
A：打不粘：主要因為電極表麵氧化或有膠
　　
B：有與發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢，其中以加厚層脫落為主。
　　
C：打穿電極：通常與芯片材料有關
，材料脆且強度不高的材料易打穿電極

，一般GAALAS材料(如高紅，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極，
　　
D：壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時間，壓力

，金球大小
，支架定位等進行調整。
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3、發光顏色差異：
　
A：同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題
，ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄
，生長是很難保證各區域組分一致。(組分決定禁帶寬度
，禁帶寬度決定波長)。
　　
B：GAPhuanglvxinpian，faguangbochangbuhuiyouhendapiancha，danshiyouyurenyanduizhegeboduanyansemingan，henrongyizhachupianhuang，pianlv。youyubochangshiwaiyanpiancailiaojuedingde，quyuyuexiao
，chuxianyansepianchagainianyuexiao，guzaiM/T作業中有鄰近選取法。
　　
C：GAP紅色芯片有的發光顏色是偏橙**
，這是由於其發光機理為間接躍進。受雜質濃度影響
，電流密度加大時，易產生雜質能級偏移和發光飽和，發光是開始變為橙**。
　　
4、閘流體效應：
　　
A：是發光二極管在正常電壓下無法導通，當電壓加高到一定程度
，電流產生突變。
　　
B：產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層，有此現象的LED在IF=20MA時(shi)測(ce)試(shi)的(de)正(zheng)向(xiang)壓(ya)降(jiang)有(you)隱(yin)藏(zang)性(xing)
，在(zai)使(shi)用(yong)過(guo)程(cheng)是(shi)出(chu)於(yu)兩(liang)極(ji)電(dian)壓(ya)不(bu)夠(gou)大(da)，表(biao)現(xian)為(wei)不(bu)亮(liang)
，可(ke)用(yong)測(ce)試(shi)信(xin)息(xi)儀(yi)器(qi)從(cong)晶(jing)體(ti)管(guan)圖(tu)示(shi)儀(yi)測(ce)試(shi)曲(qu)線(xian)
，也(ye)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)小(xiao)電(dian)流(liu)IF=10UA下的正向壓降來發現，小電流下的正向壓降明顯偏大，則可能是該問題所致。
　　
5、反向漏電：
　　
A：原因：外延材料
，芯片製作，器件封裝，測試一般5V下反向漏電流為10UA
，也可以固定反向電流下測試反向電壓。
　　
B：不同類型的LED反向特性相差大：普綠
，普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。
　　
C：外延造成的反向漏電主要由PN結(jie)內(nei)部(bu)結(jie)構(gou)缺(que)陷(xian)所(suo)致(zhi)
，芯(xin)片(pian)製(zhi)作(zuo)過(guo)程(cheng)中(zhong)側(ce)麵(mian)腐(fu)蝕(shi)不(bu)夠(gou)或(huo)有(you)銀(yin)膠(jiao)絲(si)沾(zhan)附(fu)在(zai)測(ce)麵(mian)
，嚴(yan)禁(jin)用(yong)有(you)機(ji)溶(rong)液(ye)調(tiao)配(pei)銀(yin)膠(jiao)。以(yi)防(fang)止(zhi)銀(yin)膠(jiao)通(tong)過(guo)毛(mao)細(xi)現(xian)象(xiang)爬(pa)到(dao)結(jie)區(qu)。

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