要想得到大功率LED器件，就必須製備合適的大功率LED芯片。國際上通常的製造大功率LED芯片的方法有如下幾種：

①加大尺寸法。通過增大單體LED的有效發光麵積和尺寸，促使流經TCL層ceng的de電dian流liu均jun勻yun分fen布bu
，以yi達da到dao預yu期qi的de光guang通tong量liang。但dan是shi，簡jian單dan地di增zeng大da發fa光guang麵mian積ji無wu法fa解jie決jue散san熱re問wen題ti和he出chu光guang問wen題ti
，並bing不bu能neng達da到dao預yu期qi的de光guang通tong量liang和he實shi際ji應ying用yong效xiao果guo。

②矽底板倒裝法。首先製備出適合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同時製備出相應尺寸的矽底板，並在矽底板上製作出供共晶焊接用的金導電層及引出導電層（超聲金絲球焊點），再利用共晶焊接設備將大尺寸LED芯片與矽底板焊接在一起。這樣的結構較為合理
，既考慮了出光問題又考慮到了散熱問題，這是目前主流的大功率LED的生產方式。

美國Lumileds公司於2001年研製出了AlGaInN功率型倒裝芯片（FCLED）結構，其製造流程是：首先在外延片頂部的P型GaN上澱積厚度大於500A的NiAu層，用於歐姆接觸和背反射
；再采用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，露出N型層；經澱積、刻蝕形成N型歐姆接觸層，芯片尺寸為1mm×1mm,P型歐姆接觸為正方形，N型歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴展距離，把擴展電阻降至最小
；然後將金屬化凸點的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護二極管（ESD）的矽載體上。

③陶瓷底板倒裝法。先利用LED晶片通用設備製備出具有適合共晶焊接電極結構的大出光麵積的LED芯片和相應的陶瓷底板

，並在陶瓷底板上製作出共晶焊接導電層及引出導電層
，然後利用共晶焊接設備將大尺寸LEDxinpianyutaocidibanhanjiezaiyiqi。zheyangdejiegoujikaolvlechuguangwentiyekaolvdaolesanrewenti
，bingqiecaiyongdetaocidibanweigaodaoretaociban
，sanrexiaoguofeichanglixiang，jiageyouxiangduijiaodi，suoyiweimuqianjiaoweishiyidedibancailiao
，bingkeweijianglaidejichengdianluyitihuafengzhuangyuliukongjian。

④藍寶石襯底過渡法。按照傳統的InGaN芯片製造方法在藍寶石襯底上生長出PN結後，將藍寶石襯底切除

，再連接上傳統的四元材料，製造出上下電極結構的大尺寸藍光LED芯片。

⑤AlGaInN碳化矽（SiC）背麵出光法。美國Cree公司是全球唯一采用SiC襯底製造AlGaInN超高亮度LED的廠家，幾年來其生產的AlGaInN/SiCa芯片結構不斷改進
，亮度不斷提高。由於P型和N型電極分別位於芯片的底部和頂部，采用單引線鍵合，兼容性較好
，使用方便，因而成為AlGaInNLED發展的另一主流產品。

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