美高森美宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)產品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPT IGBT產品係列專為嚴苛環境工作而設計
，尤其適用於太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。

 

美高森美新的功率器件通過提供業界最佳的損耗性能來改進效率，與最接近競爭廠商的IGBT產品相比，效率提高了大約8%。新的NPT IGBT器件還能夠實現高達150 kHz的極高開關速率，在與美高森美的碳化矽(silicon carbide, SiC)續流二極管(free-wheeling diode)配對使用，開關速率可獲得進一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應用

，這些領先的650V NPT IGBT通過替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可讓開發人員降低總體係統成本。

下一代650V產品係列中的所有器件都基於美高森美先進的Power MOS 8™ 技術，並且采用了最先進的晶圓薄化(wafer thinning)工(gong)藝(yi)。與(yu)競(jing)爭(zheng)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)相(xiang)比(bi)，顯(xian)著(zhu)降(jiang)低(di)總(zong)體(ti)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)
，且(qie)可(ke)讓(rang)器(qi)件(jian)在(zai)難(nan)以(yi)置(zhi)信(xin)的(de)快(kuai)速(su)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)工(gong)作(zuo)。利(li)用(yong)公(gong)司(si)大(da)功(gong)率(lv)高(gao)可(ke)靠(kao)性(xing)市(shi)場(chang)的(de)傳(chuan)統(tong)

，美(mei)高(gao)森(sen)美(mei)期(qi)望(wang)擴(kuo)大(da)IGBT市場份額
，根據Yole Développement最新報告，這個市場正從現今的36億美元增長到2018年的60億美元。

這些NPT IGBT器件易於並聯(Vcesat正溫度係數)，可以提升大電流模塊的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT)
，可以在嚴苛的工業環境中可靠運作。

 

新的IGBT器件備有各種封裝，包括TO-247
、T-MAX和模塊。要了解更多信息或獲取樣品，請聯絡當地分銷商或美高森美銷售代表，或發送電子郵件到sales.support@microsemi.com。要了解更多的生產信息，請訪問公司網站www.microsemi.com。