技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司
，推出兩款封裝式低噪聲放大器 (LNA) 增益模塊－TQP3M9035和TQP3M9038

，可在50 MHz至4 GHz極寬帶寬範圍內提供經濟型的高性能。這兩款放大器產品具有極高線性度和極低噪聲的特點，非常適用於高性能GSM、WCDMA

、CDMA和LTE基站應用。
   
除了在無線基礎設施中實現高性能之外
，新的TQP3M9035和TQP3M9038還可用於從中繼器和塔式安裝放大器到通用電路等需要高線性度、寬帶低噪聲增益模塊的各種係統。
   
新的TQP3M9035具有+37 dBm高三階交調截取點 (OIP3) 和0.66 dB極低噪聲、16.5 dB增益和在1 dB增益壓縮（P1dB）射頻輸出功率為22.5 dB。典型使用包括接收器和發射增益模塊放大器
、中頻增益模塊放大器和用於極小口徑終端 (VSAT) 的中頻放大器
、以及點對點微波無線電中的第一、第二或第三低噪聲放大器。該器件還具有TDD-LTE係統要求的集成式數字關斷偏壓能力。TQP3M9038的OIP3為+39.5 dBm、噪聲係數為2 dB、14.9 dB的平坦增益響應（500 MHz - 3.5 GHz帶寬範圍上偏離隻有+/-0.3 dB）和+21.6 dBm的P1dB射頻輸出功率。
   
TriQuint使用其高性能E-pHEMTgongyiweizheliangzhongxinqijiantigongneibupipei。jishiqijianzaijikuanpinlvfanweineigongzuo，neibupipeikexiaochuduixuduodianxingwaizhiyouhuadianludexuyao。zhixuyaoyigewaizhishepineliuquanyijigeli/旁路電容
，操作在一個單一的+5 V電源供電 。TQP3M9035和TQP3M9038的功耗分別隻有110  mA和85 mA。兩款器件均采用內置有源偏壓電路
，以便在偏壓和溫度變化時也能穩定運行。TQP3M9035采用2x2 mm DFN封裝，TQP3M9038采用3x3 mm QFN 封裝；二者都符合RoHS標準的要求。
   
技術細節：
   

新TQP3M9035和TQP3M9038目前在產。TQP3M9035可提供完全組裝的500 MHz - 4 GHz評估裝置。TQP3M9038的裝置包括中頻版本 (50 - 500 MHz) 和射頻版本 (500 MHz - 4 GHz)。