EPC2010 FET新品特性：

• 最大RDS(ON)值為25mΩ
• 柵極施加電壓是5V

EPC2010 FET應用範圍：

• 高速DC/DC電源
• 負載點轉換器
• D類音頻放大器
• 硬件開關和高頻電路

宜普電源轉換公司宣布推出了第二代eGaN場效應晶體管(FET)係列產品中的最新成員EPC2010，具更卓越性能
，不僅環保
、不含鉛，而且符合RoHS(有害物質限製)指令。

EPC2010 FET是一款200VDS器件，最大RDS(ON)值為25mΩ，柵極施加電壓是5V。這種eGaN FET與第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明顯的性能優勢。

EPC2010將脈衝電流額定值提高到60A(而EPC1010為40A)，並且改進了很低柵極電壓時的RDS(ON)值，電容值也更低。

與具有相同導通電阻值的先進矽功率MOSFET相比，EPC2010體積更小，開關性能更高出許多倍。受益於更高性能eGaN FET的應用很多，其中包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬件開關和高頻電路。

“yipushidiyijiashixiandanhuajiagonglvchangxiaoyingjingtiguanshangyonghuadegongsi。suizhedierdaichanpindetuichu，yipujinyibutishengledanhuajiachangxiaoyingjingtiguandexingnengbiaogan。lingwai，yipudexinyidaieGaN產品也是首個無鉛化且符合RoHS的氮化镓場效應晶體管。” 宜普公司合夥創始人及首席執行官Alex Lidow表示。