SiR640DP/SiR662DP的產品特性：

• 采用PowerPAK SO-8封裝
• 具有40V和60V工作電壓

SiR640DP/SiR662DP的應用範圍：

• 通信電源
• 工業自動化和專業遊戲機
• 不間斷電源(UPS)和消費類應用

日前
，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積
，即優值係數。

40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最接近的競爭MOSFET低4%
，而4.5V下的FOM則低15.5%。

60V SiR662DP在10V和4.5V下的導通電阻分別為2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的導通電阻分別比最接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。在器件的整個工作範圍內，低導通電阻和低FOM將能夠減少開關損耗。

兩(liang)款(kuan)器(qi)件(jian)在(zai)製(zhi)造(zao)過(guo)程(cheng)中(zhong)采(cai)用(yong)了(le)一(yi)種(zhong)新(xin)的(de)矽(gui)技(ji)術(shu)
，該(gai)技(ji)術(shu)使(shi)用(yong)了(le)優(you)化(hua)的(de)溝(gou)槽(cao)密(mi)度(du)和(he)特(te)殊(shu)的(de)柵(zha)極(ji)結(jie)構(gou)。對(dui)於(yu)設(she)計(ji)者(zhe)來(lai)說(shuo)，更(geng)低(di)的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)意(yi)味(wei)著(zhe)更(geng)低(di)的(de)傳(chuan)導(dao)損(sun)耗(hao)，從(cong)而(er)降(jiang)低(di)功(gong)耗(hao)
，尤(you)其(qi)是(shi)在(zai)重(zhong)載(zai)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)。器(qi)件(jian)的(de)低(di)FOM能(neng)夠(gou)降(jiang)低(di)高(gao)頻(pin)和(he)開(kai)關(guan)應(ying)用(yong)中(zhong)的(de)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)

，特(te)別(bie)是(shi)在(zai)輕(qing)負(fu)載(zai)和(he)待(dai)機(ji)模(mo)式(shi)下(xia)。器(qi)件(jian)的(de)高(gao)頻(pin)率(lv)使(shi)設(she)計(ji)者(zhe)能(neng)夠(gou)增(zeng)加(jia)其(qi)係(xi)統(tong)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)
，或(huo)是(shi)同(tong)時(shi)實(shi)現(xian)更(geng)低(di)的(de)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)和(he)更(geng)綠(lv)色(se)的(de)應(ying)用(yong)方(fang)案(an)。

SiR662DP和SiR640DP適用於DC/DC和AC/DC轉換器中的次級側同步整流、DC/DC轉換器中的初級側開關、負載點模塊、電機驅動、橋式逆變器和替代機械式繼電器的應用。典型終端產品包括通信電源
、工業自動化和專業遊戲機、不間斷電源(UPS)和消費類應用。

MOSFET的電壓等級為4.5V，使許多設計者能夠在其係統中使用現有的給數字邏輯電路供電的5V電源軌
，無需再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。4.5V電壓等級還能夠大幅降低柵極驅動的損耗，同時還能夠使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。

兩款芯片均經過了100%的Rg和UIS測試
，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定
，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR662DP和SiR640DP現可提供樣品，並已實現量產
，大宗訂貨的供貨周期為十六周。