IDT3C02的產品特性：

• 100ppm 的總頻率誤差
• 支持標準CMOS 工藝
• 獨特的模擬核設計
• 具有 200nA的低功耗待機模式
• 100μs的快速啟動時間

IDT3C02的應用範圍：

• 適合服務器和企業設計
• 適合采用以太網端口的數據通信設備

致力於豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）宣布，推出業界精度最高的全矽 CMOS 振蕩器
，在整個溫度、電壓和其他因數方麵實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。
   
IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術
，可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基於石英晶體的振蕩器
，並采用非常薄的外形，而無需使用任何機械頻率源或鎖相環（PLL）。該產品專門用於下一代存儲、數據通信和連接接口
，如千兆以太網
、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。該產品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗
、低抖動替代方案，因此非常適合服務器和企業設計
，以及采用以太網端口的數據通信設備。
   
IDT 通信事業部副總裁兼總經理 Fred Zust 表示：“憑借其 100ppm 的總頻率誤差，IDT3C02不愧為計時行業的一個重大突破。作為一個晶振替代品的理想選擇，它擴展了今年早些時候發布的晶圓形式全矽 CMOS 振蕩器，擴展了 IDT 在計時領域的領導地位。”
   
IDT3C02 振蕩器可產生高精度的片上頻率

，而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標準的現成可用的 CMOS 工(gong)藝(yi)
，采(cai)用(yong)了(le)可(ke)編(bian)程(cheng)架(jia)構(gou)
，支(zhi)持(chi)各(ge)種(zhong)配(pei)置(zhi)選(xuan)項(xiang)

，以(yi)適(shi)應(ying)廣(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用(yong)範(fan)圍(wei)。也(ye)許(xu)這(zhe)些(xie)選(xuan)項(xiang)中(zhong)最(zui)為(wei)關(guan)鍵(jian)的(de)是(shi)工(gong)廠(chang)可(ke)編(bian)程(cheng)的(de)工(gong)作(zuo)頻(pin)率(lv)
，與(yu)傳(chuan)統(tong)的(de)石(shi)英(ying)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)相(xiang)比(bi)
，有(you)助(zhu)於(yu)縮(suo)短(duan)交(jiao)貨(huo)時(shi)間(jian)
，包(bao)括(kuo)特(te)殊(shu)或(huo)罕(han)見(jian)的(de)頻(pin)率(lv)。
   
此外，IDT3C02 振蕩器采用一個獨特的模擬核設計，其功耗低於 2.5mA（空載典型值），從而為基於石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案，同時在 1MHz 載波偏移條件下實現了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業界標準的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝，即低成本
、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝
，無需陶瓷密封的封裝。
   
IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機模式
，以及 100μs（典型值）的de快kuai速su啟qi動dong時shi間jian。這zhe些xie功gong能neng組zu合he使shi該gai器qi件jian非fei常chang適shi合he功gong率lv敏min感gan的de設she計ji，允yun許xu頻pin繁fan的de開kai關guan電dian源yuan以yi進jin一yi步bu節jie省sheng功gong耗hao。由you於yu該gai器qi件jian不bu包bao含han任ren何he運yun動dong元yuan件jian
，且qie不bu使shi用yong機ji械xie或huo壓ya電dian電dian子zi諧xie振zhen來lai產chan生sheng電dian子zi頻pin率lv
，全quan矽gui的de單dan片pian方fang案an實shi現xian了le優you良liang的de耐nai衝chong擊ji和he振zhen動dong能neng力li。

供貨情況
IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品，采用的是 5×3.2mm 封裝。