SiHG47N60S：Vishay推出新款N溝道功率MOSFET適用於電機控製電源
發布時間：2010-11-08 來源：電子產品世界
SiHG47N60S的產品特性：
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET。 SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
柵極電荷與導通電阻的乘積是用於功率轉換應用中MOSFET的優值係數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業界此類器件當中最低的。
SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在太陽能電池和風力發電機的逆變器、通信、服務器和電機控製電源應用中的逆變器電路和脈寬調製(PWM)全橋拓撲中節約能源。
新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術製造，這種技術為減小通態電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈衝進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。
新款功率MOSFET現可提供樣品，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。
- 具有0.07Ω的超低最大導通電阻
- 柵極電荷減小到216nC
- 采用TO-247封裝
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 太陽能電池、風力發電機
- 電機控製電源應用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET。 SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
柵極電荷與導通電阻的乘積是用於功率轉換應用中MOSFET的優值係數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業界此類器件當中最低的。
SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在太陽能電池和風力發電機的逆變器、通信、服務器和電機控製電源應用中的逆變器電路和脈寬調製(PWM)全橋拓撲中節約能源。
新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術製造，這種技術為減小通態電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈衝進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。
新款功率MOSFET現可提供樣品，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。
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