產品特性：

• 具備全球最低通態電阻的30V功率
• 在10V柵源電壓條件下
  ，漏極電流為180A

應用範圍：

• 大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）係統和汽車啟停係統

英飛淩科技股份公司近日麵向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。全新的OptiMOS-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件
，在10V柵源電壓條件下
，漏極電流為180A

，而通態電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0
，可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態電阻。

基於英飛淩適用於功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）係統和汽車啟停係統的理想解決方案。

出於成本和效率原因，整個行業都開始轉向溝槽設計。OptiMOS-T2等功率MOSFET溝槽技術相對於以往的技術，在通態電阻和柵電荷方麵實現了大幅改進。這使得優值係數（FoM=柵電荷x通態電阻）達到業界最低水平。此外，英飛淩創新的大電流“Powerbond”技術可解決MOSFET鍵合引線受限問題，降低鍵合引線通態電阻的降幅，並增強電流功能。通過使鍵合引線更涼能進一步提高可靠性。最新的Powerbond技術可確保一個MOSFET具備多達4條500微米鍵合引線
，使標準封裝器件具備180A的額定電流。
　　
OptiMOS-T2技術和結實耐用的封裝經過精心設計，能夠在MSL1 （1級潮濕度）條件下，承受回流焊接過程中的260 °C高溫，並且采用無鉛電鍍

，以符合RoHS標準。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽車電子委員會（AEC-Q101）的規範要求。英飛淩先進的溝槽技術具備低柵電荷、低電容
、低開關損耗和出色的優值係數

，可使電機效率達到新高，同時最大限度降低EMC輻射。此外，優化的柵電荷可確保更小的驅動輸出級。
　　
IPB180N03S4L-H0可滿足需要許多並聯MOSFET的大電流應用（超過500A）的要求。由於IPB180N03S4L-H0具備180A額定電流，因此，可使大電流係統所需的並聯MOSFET減少一半，從而優化電流共享、熱性能和成本。由於汽車電機逐步轉向脈寬調製（PWM）控製以提高效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件還可提供電池反向連接保護功能。
　　
英飛淩公司標準汽車功率產品營銷總監Torsten Blanke博士指出：“英飛淩具備基於OptiMOS-T2溝槽技術的廣泛汽車MOSFET產品組合。這些器件都采用結實耐用的封裝，具備出類拔萃的性能和品質。通過推出具備180 A 額定電流的全新30V OptiMOS-T2器件，英飛淩再次在最大電流（采用標準封裝）和最低通態電阻（采用溝槽技術）方麵樹立了行業標杆。”