產品特性：

• 采用針對更高電壓器件優化的新型低導通電阻技術
• 在4.5V柵極驅動下額定導通電阻為8.5mΩ的80V MOSFET
• 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC

應用範圍：

• 更高電壓器件的優化

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V
、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數值是DC-DC轉換器應用中MOSFET的優值係數(FOM，單位是nC-mΩ)。

SiR880DP針對通信負載點應用的隔離式DC-DC轉(zhuan)換(huan)器(qi)中(zhong)初(chu)級(ji)側(ce)開(kai)關(guan)進(jin)行(xing)了(le)優(you)化(hua)。非(fei)常(chang)低(di)的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)意(yi)味(wei)著(zhe)可(ke)減(jian)少(shao)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)和(he)實(shi)現(xian)更(geng)綠(lv)色(se)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，尤(you)其(qi)是(shi)在(zai)待(dai)機(ji)模(mo)式(shi)這(zhe)樣(yang)的(de)輕(qing)負(fu)載(zai)條(tiao)件(jian)下(xia)。

器件的4.5V電壓等級有助於實現更高頻率的設計，在POL應用中大幅降低柵極驅動損耗，並且可以使用電壓更低
、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET還隻能在6V或更高的柵極驅動下才能導通。

SiR880DP經過了完備的Rg和UIS測試。這款采用PowerPAK SO-8封裝的MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。