650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
發布時間:2010-07-07
產品特性:
- 具備快速、可控的開關性能
- C6器件針對易用性進行了優化
- E6器件旨在提供最高效率
應用範圍:
- 效率和功率密度是關鍵要求的應用
英飛淩科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET係列。該產品係列將現代超級結(SJ)器件的優勢(如低導通電阻和低容性開關損耗)與輕鬆控製的開關行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基於同樣的技術平台,C6器件針對易用性進行了優化,而E6器件則旨在提供最高效率。
CoolMOS C6/E6是來自英飛淩的第六代市場領先的高壓超級結功率MOSFET。全新的650V CoolMOS C6/E6器件具備快速、可控的開關性能,適用於效率和功率密度是關鍵要求的應用。650V CoolMOS C6/E6器件易於應用,是各種高能效開關產品的理想之選,例如筆記本電腦適配器、太陽能逆變器和其他需要額外擊穿電壓裕量的開關電源(SMPS)產品。
英飛淩 HVMOS功率分立式器件產品經理Jan-Willem Reynaerts指出:“全新的650V C6/E6產品係列是英飛淩早前推出的CoolMOS 600V C6/E6產品係列的有益補充,確保那些需要650V擊穿電壓的電源產品能享受我們第六代CoolMOS 技術的各種優勢。從這個意義上講,CoolMOS C6/E6使我們的客戶能夠從大獲成功的C3係列順利實現更新換代。”
相對於CoolMOS C3 650V係列,全新650V CoolMOS C6/E6 器件輸出電容(Eoss)的儲電量降幅高達20%,而C6/E6 器件經過改進的體二極管具備更高的硬換相耐受性,並可使反向恢複電荷降低約25%。得益於調諧柵極電阻的平衡設計,C6/E6 器件的開關行為能夠避免過高的電壓和電流變化率。
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