英飛淩第三代高速600V和1200V IGBT打破開關和效率界限
發布時間:2010-05-24 來源:電子元件技術網
產品特性:
英飛淩近日推出600V和1200V高速3(第三代)IGBT產品係列。該係列經過優化,適用於高頻和硬開關應用,在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方麵,樹立了行業新標杆,並可滿足開關頻率高達100kHz的應用需求。
近年來,各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優化特性的IGBT,比如開關和通態損耗優化,以期充分發揮產品的性能。英飛淩的全新600V和1200V高速3係列IGBT可適用於電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS和UPS)等高頻應用,幫助最大限度發揮係統的性能。
英飛淩公司IGBT功率分立式器件高級營銷經理Roland Stele指出:“最近幾年,工業驅動、感應加熱、電焊機、UPS和太陽能逆變器等應用對IGBT的需求大幅提高。所有這些產品都需要具有特定優化特性的功率開關。英飛淩提供的新一代突破性IGBT針對高頻應用進行優化,具備最低的開關損耗並提高了係統效率。”
全新的高速3 IGBT係列經過優化,適用於開關頻率高達100kHz的產品。它相對於上一代器件,總關斷損耗降低35%。關斷損耗的大幅降低主要源自於極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短75%,並表現出類似MOSFET的關斷開關行為。
由於Vce(sat)(通態飽和電壓)對總體損耗也很關鍵,因此需要在開關損耗和導通損耗之間實現最佳平衡。全新的高速3係列不僅具備極低的開關損耗,而且具備較低的導通損耗,這主要得益於采用本身具備較低通態飽和電壓的、成熟的Trenchstop技術。
對於高速3係列中具備續流二極管的IGBT而言,其二極管的尺寸經過優化,適用於高速開關,同時可維持較高的軟度,使產品具備出色的抗電磁幹擾性能。
符合RoHS標準的全新高速3IGBT係列,其600V器件的電流範圍為20A至50A,其1200V器件的電流範圍為15A至40A。該係列目前全麵投入量產。
樣品數量的價格範圍為1.90歐元(600V 20A)至5.10歐元(1200 40A)。
- 可滿足開關頻率高達100kHz的應用需求
- 具備極低的開關損耗,較低的導通損耗
- 其600V器件的電流範圍為20A至50A
- 其1200V器件的電流範圍為15A至40A
- 電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源等高頻應用
英飛淩近日推出600V和1200V高速3(第三代)IGBT產品係列。該係列經過優化,適用於高頻和硬開關應用,在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方麵,樹立了行業新標杆,並可滿足開關頻率高達100kHz的應用需求。
近年來,各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優化特性的IGBT,比如開關和通態損耗優化,以期充分發揮產品的性能。英飛淩的全新600V和1200V高速3係列IGBT可適用於電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS和UPS)等高頻應用,幫助最大限度發揮係統的性能。
英飛淩公司IGBT功率分立式器件高級營銷經理Roland Stele指出:“最近幾年,工業驅動、感應加熱、電焊機、UPS和太陽能逆變器等應用對IGBT的需求大幅提高。所有這些產品都需要具有特定優化特性的功率開關。英飛淩提供的新一代突破性IGBT針對高頻應用進行優化,具備最低的開關損耗並提高了係統效率。”
全新的高速3 IGBT係列經過優化,適用於開關頻率高達100kHz的產品。它相對於上一代器件,總關斷損耗降低35%。關斷損耗的大幅降低主要源自於極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短75%,並表現出類似MOSFET的關斷開關行為。
由於Vce(sat)(通態飽和電壓)對總體損耗也很關鍵,因此需要在開關損耗和導通損耗之間實現最佳平衡。全新的高速3係列不僅具備極低的開關損耗,而且具備較低的導通損耗,這主要得益於采用本身具備較低通態飽和電壓的、成熟的Trenchstop技術。
對於高速3係列中具備續流二極管的IGBT而言,其二極管的尺寸經過優化,適用於高速開關,同時可維持較高的軟度,使產品具備出色的抗電磁幹擾性能。
符合RoHS標準的全新高速3IGBT係列,其600V器件的電流範圍為20A至50A,其1200V器件的電流範圍為15A至40A。該係列目前全麵投入量產。
樣品數量的價格範圍為1.90歐元(600V 20A)至5.10歐元(1200 40A)。
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