羅姆開始量產SiC製SBD
發布時間:2010-05-14
產品特性:
之前除了SBD及MOSFET等SiC功率元件之外,羅姆還開發出了采用這些元件的模塊,並於2009年收購了從事製作元件時不可或缺的SiC底板業務的德國SiCrystal等,確立了一條龍生產SiC功率元件的體製。SCS110A係列將利用SiCrystal的底板。前工序由位於福岡縣的ROHM APOLLO DEVICE,後工序由位於泰國的ROHM Integrated System(泰國)擔任。
SCS110A係列的反向恢複時間(trr)為15ns。據稱,比原來的矽製快恢複二極管(FRD)的35ns~50ns要短。這樣,恢複時的損耗可減至原來的三分之一左右。10A電流時的順方向電壓為標準1.5V。耐壓為600V。
該公司還介紹說,量產時解決了“肖特基接觸勢壘”的均勻性,以及無需高溫處理的高電阻保護套層形成等課題。
今後,除了實現SBD產品的高耐壓化及大電流化之外,該公司還準備擴充配備MOSFET及SiC功率元件的IPM(智能功率模塊)等SiC相關產品的陣容。
- 高耐壓化
- 大電流化
- 功率元件
之前除了SBD及MOSFET等SiC功率元件之外,羅姆還開發出了采用這些元件的模塊,並於2009年收購了從事製作元件時不可或缺的SiC底板業務的德國SiCrystal等,確立了一條龍生產SiC功率元件的體製。SCS110A係列將利用SiCrystal的底板。前工序由位於福岡縣的ROHM APOLLO DEVICE,後工序由位於泰國的ROHM Integrated System(泰國)擔任。
SCS110A係列的反向恢複時間(trr)為15ns。據稱,比原來的矽製快恢複二極管(FRD)的35ns~50ns要短。這樣,恢複時的損耗可減至原來的三分之一左右。10A電流時的順方向電壓為標準1.5V。耐壓為600V。
該公司還介紹說,量產時解決了“肖特基接觸勢壘”的均勻性,以及無需高溫處理的高電阻保護套層形成等課題。
今後,除了實現SBD產品的高耐壓化及大電流化之外,該公司還準備擴充配備MOSFET及SiC功率元件的IPM(智能功率模塊)等SiC相關產品的陣容。
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